随机存取存储单元/四晶体管随机存取存储单元及存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种四晶体管随机存取存储单元，包括一第一、第二、第三及第四晶体管。第一晶体管具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线。第二晶体管具有第一导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压。第三晶体管具有一第二导电性，其栅极耦接至第二晶体管的漏极，源极耦接接收一第二电压，漏极则耦接至第一晶体管的漏极。第四晶体管具有第二导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极，源极耦接接收第二电压，漏极则耦接至第二晶体管的漏极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种存储单元，特别有关于一种不需更新动作的四晶体管存储单元。
技术介绍
为了满足客户对于功能更强大、效率更高及体积更小的集成电路的需求，制造厂不断地发展出使用更低操作电压及含有更小体积的内部组件(如存储单元)的芯片。许多类型的芯片(如内存芯片或含有内存组件的微处理器)均会使用静态随机存取存储单元(SRAM cell)来储存数据。静态随机存取存储单元之所以会如此受欢迎，主因在于其操作速度高于动态随机存取存储单元(DRAMcell)，且不需要定期做资料更新(refresh)的动作。图1显示了一传统六晶体管静态随机存取存储单元110，其可操作于一低供应电压(如2.2伏特～3.3伏特)，但具有较大的电路面积。其使用了一对NMOS存取晶体管112及114，以使得在位元线116及118上的互补位元值D及D’可以被写入存储单元110的储存电路120，或自储存电路120被读出。储存电路120包括了NMOS拉降晶体管122及126。NMOS拉降晶体管122及126系与PMOS拉升晶体管124及128以正反馈型态连接。节点A及B为储存电路120的互补值的输入/出点。这些互补输出/入值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四晶体管随机存取存储单元，其特征在于包括：一第一晶体管，具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线；一第二晶体管，具有该第一导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压；一第三晶 体管，具有一第二导电性，其栅极耦接至该第二晶体管的漏极，源极耦接接收一第二电压，漏极则耦接至该第一晶体管的漏极；以及一第四晶体管，具有该第二导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极，源极耦接接收该第二电压，漏极则耦接至该第二晶体管的漏 极。

【技术特征摘要】
US 2003-9-9 10/658,8451.一种四晶体管随机存取存储单元，其特征在于包括一第一晶体管，具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线；一第二晶体管，具有该第一导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压；一第三晶体管，具有一第二导电性，其栅极耦接至该第二晶体管的漏极，源极耦接接收一第二电压，漏极则耦接至该第一晶体管的漏极；以及一第四晶体管，具有该第二导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极，源极耦接接收该第二电压，漏极则耦接至该第二晶体管的漏极。2.如权利要求1所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一晶体管更包括一基极耦接接收一第三电压。3.如权利要求2所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为一接地电位，而该第三电压为高于Vdd的VPP。4.如权利要求2所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为Vbb，而该第三电压为高于Vdd的VPP。5.如权利要求1所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第二晶体管更包括一基极耦接接收一第三电压。6.如权利要求5所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为一接地电位，而该第三电压为高于Vdd的VPP。7.如权利要求5所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为Vbb，而该第三电压为高于Vdd的VPP。8.如权利要求1所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一晶体管更包括一基极耦接接收该第一电压。9.如权利要求8所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为一接地电位。10.如权利要求8所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为Vbb。11.如权利要求1所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第二晶体管更包括一基极耦接接收该第一电压。12.如权利要求11所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为一接地电位。13.如权利要求11所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，该第二电压为Vbb。14.如权利要求1所述的四晶体管随机存取存储单元，其特征在于所述第一及第二导电性分别为P及N型导电性。15.一种随机存取存储单元，其特征在于包括一第一晶体管，具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线；一第二晶体管，具有一第二导电性，其源极耦接接收一第二电压，漏极耦接至该第一晶体管的漏极；一二极管，其正极耦接至该第一晶体管的漏极，负极耦接接收一第一电压；一反向器，其输入端耦接至该第一晶体管的漏极，输出端耦接至该第二晶体管的栅极。16.如权利要求15所述的随机存取存储单元，其特征在于所述反向器包括一第三晶体管，具有该第一导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极，源极耦接接收该第一电压；以及一第四晶体管，具有该第二导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极，源极耦接接收该第二电压，漏极则耦接至该第三晶体管的漏极。17.如权利要求16所述的随机存取存储单元，其特征在于所述第三及第四晶体管更包括一基极耦接接收一第三电压。18.如权利要求17所述的随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，第二电压为一接地电位，第三电压为高于Vdd的VPP。19.如权利要求17所述的随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，第二电压为Vbb，第三电压为高于Vdd的VPP。20.如权利要求16所述的随机存取存储单元，其特征在于所述第三及第四晶体管更包括一基极耦接接收该第一电压。21.如权利要求20所述的随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，第二电压为一接地电位。22.如权利要求20所述的随机存取存储单元，其特征在于所述第一电压为Vdd，第二电压为Vbb。23.如权利要求15所述的随机存取存储单元，其特征在于所述二极管是由该第一晶体管的基极与漏极接合面所形成。24.一种存储装置，其特征在于包括多个存储单元，其中资料是在字元线上的控制信号的控制下经由位元线写入每一存储单元或自每一存储单元读出，每一存储单元包括一第一晶体管，具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线；一第二晶体管，具有该第一导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极而源极耦接接收...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹宗成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]