半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极／漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极／漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。本发明专利技术能够改善ＬＤＭＯＳ装置的静电放电能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体装置，且特别有关于一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS, Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)装置的结构及其形成方法。
技术介绍
横向扩散金属氧化物半导体(Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor: LDMOS)装置已广泛地用于许多种应用类型，例如高电压半导体装置的应用。 一般而言，横向扩散金属氧化物半导体装置包括浅掺杂的漏极区，以提升击 穿电压(breakdown voltage)。图1描绘了公知LDMOS装置2和4的剖面图，且LDMOS装置2和4， 通过设置源极区6和8于此两装置之间而相互邻接。其中，设置P型重掺杂 的主体拾取区(heavily doped p-type bulk pick-up region)10，以分离源极区6 和8。另夕卜，漏极区12和各栅极电极16相隔一间距，以增加漏极-栅极电压， 且上述源极区6、 8和漏极区12均掺杂有N型掺杂物(impurity)。 LDMOS可 包括多个成对相连的引线(legs)，而图l则描绘上述LDMOS的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：　半导体基底；　栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；　源极／漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极／漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及　主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。

【技术特征摘要】
US 2007-7-3 11/773,3641.一种半导体装置，包括半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极/漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极/漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区，位于该半导体基底中且邻接该源极区，其中该主体拾取区具有第二导电类型，且该第二导电类型与该源极区的第一导电类型相反，其中该主体拾取区在该栅极宽度方向上具有第二宽度，且该第二宽度实质上小于该第一宽度。2. 如权利要求1所述的半导体装置，其中主体拾取区被该源极区包围。3. 如权利要求l所述的半导体装置，还包括多个接触插塞，其中该多个 接触插塞包括第一插塞，连接至该主体拾取区，以及第二插塞，连接至该源 极区，且其中所述多个接触插塞在该栅极宽度方向上形成第一列。4. 如权利要求3所述的半导体装置，还包括具有多个插塞的第二列和具 有多个插塞的第三列，且该第二列和该第三列设置于该第一列的两侧，其中 具有多个接触插塞的...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏启珊，吴国铭，李建兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]