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本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极／漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极／漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾取区...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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