一次性可编程器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种一次性可编程器件的制造方法，包括以下步骤，首先，提供具有表面区域的衬底，并在衬底的表面区域形成栅极电介质层；接着，在所述栅极电介质层上设置至少一浮动栅极；随即，执行快速热退火，同时在所述浮动栅极上透过氧化形成一氧化物层；最后，在所述浮动栅极上沉积形成一自对准阻挡层。采用本发明专利技术的方法在快速热退火时的高温条件下形成的氧化物层，相较于通过ＰＥ－ＳｉＨ４所形成的普通自对准阻挡层而言，具有更好的绝缘性能，因此，能够有效地提高一次性可编程器件的数据保持性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，特别涉及一种一次性可编程器件 的制造方法。
技术介绍
一次性编程器件(one time programming, OTP )是一种新型的技术，它完全 兼容于逻辑工艺，不添加任何额外的结构层，因此，具有广阔的应用前景。衡量一次性可编程器件品质优劣最关键的性能是数据保持性(Data Retention),现有一次性可编程器件的浮动栅极中所储存的电荷主要是通过自对 准阻挡层(self alignment blocker, SAB)而遗漏。此外，由于现有一次性可编程 器件的栅极两侧顶角处的尖角最容易发生尖端放电，也易引发数据保持的问题。一通过实验得知，较厚的自对准阻挡层可以获得好的数据保持性。但是，当 自对准阻挡层到达一定的厚度以后，会导致non-salicide poly电阻和non-salicide active电阻会升高15% 20%,而且PMOS的饱和电流也会降低5%左右，对纯逻 辑电路的影响很大的。现有技术中，通常采用的解决办法是加大P+的沉积量，把聚集在氧化物层 边界的离子补偿回来。但是，这种方法也具有很多缺陷，且工艺上比较复杂。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：　（１）提供具有表面区域的衬底，并在衬底的表面区域形成栅极电介质层；　（２）在所述栅极电介质层上设置至少一浮动栅极；　（３）执行快速热退火，同时在所述浮动栅极上透过氧化形成一氧化物层；　（４）在所述氧化物层上沉积形成一自对准阻挡层。

【技术特征摘要】
1、一种一次性可编程器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤(1)提供具有表面区域的衬底，并在衬底的表面区域形成栅极电介质层；(2)在所述栅极电介质层上设置至少一浮动栅极；(3)执行快速热退火，同时在所述浮动栅极上透过氧化形成一氧化物层；(4)在所述氧化物层上沉积形成一自对...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖海波，何军，孔蔚然，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]