一种室温可编程磁逻辑器件制造技术

本发明专利技术属于磁电子器件技术领域，尤其涉及一种室温可编程磁逻辑器件，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接；所述半导体单元在正负磁场下得到的伏安特性曲线是非对称的，其半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料，包括硅、锗、砷化镓，其结构是多层薄膜结构或是块体结构；该逻辑器件价格低廉、制备工艺简单，具有电压控制的可重构性质、瞬时启动、低成本、低能耗等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种室温可编程磁逻辑器件
本专利技术属于磁电子器件
，尤其涉及一种室温可编程磁逻辑器件。
技术介绍
为了适应微电子技术高速发展的需求，可编程逻辑器件应运而生，它具有集成度高、灵活性强、适用范围宽等优点。对于传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑电路和磁逻辑电路，若要实现同样的逻辑功能，前者的能量的消耗比后者要高好几个量级。目前基于磁学特性的逻辑器件有望在降低功率消耗的同时提高计算效率，并结合了许多新的功能，例如可编程逻辑运算及内置非挥发存储性能。目前关于磁逻辑器件的研究主要基于磁性材料内电子自旋相关输运引起的磁阻效应，例如基于巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)效应的磁性金属多层膜材料。但是由于GMR和TMR的磁阻值相对较小，不利于实际应用。另一方面，GMR和TMR器件的制备工艺复杂，和目前的半导体工艺不兼容，很难将这些磁逻辑器件大规模地集成到现有的半导体工艺中。在半导体/磁性材料复合的逻辑器件方面，电子型(n型)半导体表面制备了一系列铁磁电级，并通过理论模拟验证了这种结构可实现逻辑运算模式。但是这仅是一种设想，要实现器件的实用化还需要克服很多科技难题。在半导体逻辑器件方面，一种由高迁移率半导体锑化铟(InSb)制备的p-n结器件，在室温和±0.1T磁场下实现了基本的布尔逻辑运算，但是由于InSb单晶对位错缺陷要求很高,使得其制备工艺复杂，价格昂贵，严重限制了其实际应用。基于二极管增强的硅基磁逻辑器件需要外接多个二极管，给未来的集成工艺带来了一定的困难，并且该器件的逻辑输出由电流而不是电压控制，因而需要较大的驱动功率，增加了能耗，不利于实际应用。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出了一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接。所述的半导体单元在正负磁场下得到的伏安特性曲线是非对称的。所述的半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料，包括硅、锗、砷化镓，其结构是多层薄膜结构或是块体结构。所述的半导体单元，其中一个表面的粗糙度为纳米级，另一个表面的粗糙度为微米级。所述的半导体材料，其上表面或下表面由化学腐蚀或机械抛光方法获得。一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元——半导体单元甲和半导体单元乙；半导体单元甲和开关甲串联组成电路第一分支，半导体单元乙和开关乙串联组成电路第二分支，电路第一分支和第二分支并联后再与一个电压源并联；半导体单元甲和半导体单元乙组成器件单元甲；当开关甲导通且开关乙断开时定义此时的可编程磁电逻辑器件的器件结构为配置A，当开关甲断开且开关乙导通时定义此时的可编程磁电逻辑器件的器件结构为配置B；对配置A或配置B分别通过外加不同电压和改变加在器件单元甲上的磁场的方向来分别实现不同的逻辑运算。所述的配置A和配置B都以与锗片横截面垂直向外的磁场方向作为逻辑输入的‘0’，以与锗片横截面垂直向内的磁场方向作为逻辑输入的‘1’，以测量得到的电流值小于预设值定义为逻辑输出的‘0’、电流值大于预设值定义为逻辑输出的‘1’，配置A实现复制运算，配置B实现非运算。一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元，其中，半导体单元甲和半导体单元丙是相同的一种，半导体单元乙和半导体单元丁是相同的另一种；半导体单元甲、半导体单元丙和开关甲串联组成电路第一分支，半导体单元乙、半导体单元丁和开关乙串联组成电路第二分支，电路第一分支和第二分支并联后再与一个电压源并联；半导体单元甲和半导体单元乙组成器件单元甲，半导体单元丙和半导体单元丁组成器件单元乙；当开关甲导通且开关乙断开时，定义此时器件结构为配置C，当开关甲断开且开关乙导通时，定义此时结构为配置D；对配置C或配置D分别通过外加不同的电压和改变加在器件单元甲和器件单元乙上的磁场的方向来分别实现不同的逻辑运算。所述的配置C和配置D都以与锗片横截面垂直向外的磁场方向作为逻辑输入的‘0’，以与锗片横截面垂直向内的磁场方向作为逻辑输入的‘1’，以测量得到的电流值小于预设值定义为逻辑输出的‘0’、电流值大于预设值定义为逻辑输出的‘1’，配置C实现与运算、或运算，配置D实现与非运算、或非运算。本专利技术的有益效果为：1、所得到的器件在室温和0.2T磁场下，磁阻值可达到450％。2、在室温下，所得到的器件的伏安特性在正负磁场下是非对称的，利用这种特殊的磁电性能可以实现可编程的磁电逻辑运算。3、该器件的原材料价格适中，器件结构和制备工艺简单。附图说明图1为实施例1半导体材料单元的结构示意图；图2为实施例1半导体材料单元的在磁场下电学性能测量示意图；图3为实施例1半导体材料单元的在磁场下的伏安特性图；图4为实施例2可编程磁逻辑器件结构和磁电测量示意图；图5为实施例3可编程磁逻辑器件结构和磁电测量示意图；图6为实施例3可编程磁逻辑器件在不同逻辑输入下的伏安特性示意图；图中标号：01—半导体单元甲、02—半导体单元乙、03—光滑表面、04—粗糙表面、05—电极、06—锗、07—电压源、08—电压表、09—磁场负方向、10—磁场正方向、11—开关甲、12—开关乙、13—器件单元甲、14—可编程磁逻辑器件甲、15—器件单元乙、16—半导体单元丙、17—半导体单元丁、18—可编程磁逻辑器件乙具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明：实施例1选用厚度为500μm，电导率为40Ω.cm的近本征单晶锗片(Ge),清洗干净并切成矩形片后在其表面压制铟电极。半导体材料的光滑表面03和粗糙表面04的粗糙度不同。如图1所示，当电极压制在光滑表面03时，半导体单元甲01制备完成；当电极压制在粗糙表面04时，半导体单元乙02制备完成。单晶锗的光滑表面03和粗糙表面04由原子力显微镜和表面轮廓仪进行形貌表征，结果显示粗糙表面04的粗糙度为微米级(μm)，光滑表面03的粗糙度为纳米级(nm)。半导体单元甲01和半导体单元乙02的磁电性能测量用图2所示，器件外接电压源07和电压表08。测量中外加磁场以与锗片横截面垂直的方向均匀地加载在半导体单元甲01和半导体单元乙02上，并定义与锗片横截面垂直向外的磁场方向为磁场正方向10，与锗片横截面垂直向内的磁场方向为磁场负方向09。图3为本实施例得到的半导体材料单元甲01和半导体单元乙02在室温(300K)下和正负磁场(±0.2T)条件下的伏安特性曲线。从图3可以看出，半导体单元甲01的伏安特性是非线性的；当外加电压超过临界值后，器件的电流迅速增加即器件从高阻态变为低阻态，表现为电学击穿现象。这一临界电压在+0.2T的数值大于其在-0.2T下的数值。这是由于半导体单元甲01内的载流子在-0.2T磁场下受洛伦兹力作用而偏向光滑表面03，相应的载流子复合速率减小，从而导致载流子浓度的增大，相应电流值较大；而半导体单元01内的载流子在+0.2T磁场下受洛伦兹力作用偏向粗糙表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接。

【技术特征摘要】
1.一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接；所述半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料；所述粗糙度不同指其中一个表面的粗糙度为纳米级，另一个表面的粗糙度为微米级。2.根据权利要求1所述的一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，所述的半导体单元在正负磁场下得到的伏安特性曲线是非对称的。3.根据权利要求1所述的一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，所述的半导体材料包括硅、锗、砷化镓，其结构是多层薄膜结构或是块体结构。4.根据权利要求1所述的一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，所述的半导体材料，其上表面或下表面由化学腐蚀或机械抛光方法获得。5.一种室温可编程磁逻辑器件，其特征在于，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元——半导体单元甲和半导体单元乙；半导体单元甲和开关甲串联组成电路第一分支，半导体单元乙和开关乙串联组成电路第二分支，电路第一分支和第二分支并联后再与一个电压源并联；半导体单元甲和半导体单元乙组成器件单元甲；当开关甲导通且开关乙断开时定义此时的可编程磁电逻辑器件的器件结构为配置A，当开关甲断开且开关乙导通时定义此时的可编程磁电逻辑器件的器件结构为配置B；对配置A或配置B分别通过外加不同电压和改变加在器件单元甲上的磁场的方向来分别实现不同的逻辑运算；所述半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料；所述粗糙度不同指其中一个表面的粗糙度为纳米级，另一个表面的粗糙度为微米级。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：章晓中，陈娇娇，罗昭初，熊成悦，郭振刚，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11