本发明公开了存储器单元阵列，以多行与多列排列。该阵列包括第一方向的第一编程线，其中，该第一编程线连接于该阵列第一行的存储器单元的编程栅；该第一方向的第一擦除线，其中，该第一擦除线连接于该阵列第一行的该存储器单元的擦除栅；以及，该第一方向...

本发明提供一种半导体封装结构与其形成方法。半导体封装结构包括：内插器；第一多个接合垫，位于该内插器的一侧；半导体芯片；以及第二多个接合垫，位于该半导体芯片的一侧，其中第一多个接合垫与第二多个接合垫通过金属至金属连接来接合。本发明的优点包...

本发明涉及一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法，其是将印框护膜固定于光掩膜上，该印框护膜至少包含护膜框架及与其连接的护膜，印框护膜具有第一孔与第二孔，第一孔与第二孔均连接第一空间与印框护膜外的第二空间，而第一空间由光掩膜与印框...

一种包括局部应变条的半导体元件。凹槽形成于栅极电极的相对侧边，因此，凹槽通过闲置间隙壁与栅极电极偏移，于凹槽中填入应力导引层；移除闲置凹槽，并形成轻掺杂漏极。接着，形成新的间隙壁，且使应力导引层产生凹陷，可进行一个或是多个注入步骤，以形...

一种半导体元件的制造方法。首先，将第一晶圆接合至第二晶圆。接着，沿着第一晶圆和第二晶圆间的外缘的未填满区域填入填充材料，其中填充材料在薄化和传送工艺中，沿着边缘提供支撑，以减少碎裂或缺角，可对填充材料进行固化，以减少施加填充材料产生的气...

本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位...

本发明公开一种半导体芯片的接合方法，包括：提供一真空环境；以及在该真空环境下执行一处理，其包括在该半导体芯片上至少进行氢气热退火、氢气等离子体处理与氨等离子体处理其中之一。本发明的优点为减少露出的导电材料的氧化，且大幅或完全消除湿气与化...

本发明提供一种用于电子迁移编程模式的熔丝结构，包括：阳极区位于第一多个接触窗之上，该第一多个接触窗在该熔丝结构的编程中与正高电压耦接；阴极区位于第二多个接触窗之上，该第二多个接触窗在该熔丝结构的编程中与互补低电压耦接；以及熔丝连接区，其...

本发明涉及一种无电镀装置，包含一晶片定位装置、一化学药剂分配喷嘴、一导管以及一辐射热源装置。其中该化学药剂分配喷嘴位于该晶片定位装置上方。该导管连接于该化学药剂分配喷嘴。该辐射热源装置位于该晶片定位装置上方。

本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底内形成导孔，以可抛弃式材料例如非结晶的碳填充导孔，在衬底上形成覆盖导孔的介电层，进行背面蚀刻以暴露出导孔内的可抛弃式材料。沉积背面介电层覆盖暴露的导孔，然后形...

本发明提供一种半导体结构。一第一高压Ｎ阱区埋藏于一基底中。一Ｐ型埋藏层水平邻接第一高压Ｎ阱区。一第二高压Ｎ阱区位于第一高压Ｎ阱区上。一高压Ｐ阱区位于Ｐ型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压Ｎ阱区的顶部表面。一栅极电介质从高压Ｐ阱区上方延伸至...

一种集成电路的电容器。其中第一导线大体上平行于第二导线，其中第一导线和第二导线的厚度大体上等于插塞和内连接的厚度的总和，第一导线、第二导线、插塞和内连接是由单一沉积步骤形成的。至少一种介电材料水平穿过第一导线和第二导线间的间隙，其中第一...

提供半导体装置、静态存储单元、半导体存储电路。由八个晶体管组成的虚拟６Ｔ　　ＳＲＡＭ单元设计包括一对交叉连接的反相器及一对通过栅晶体管，其通过衬底电性连接到各个反相器。同一对晶体管中，各通过栅晶体管分别有彼此不同的β值，其中β值较小的作...

本发明涉及一种光刻工艺的进行方法及半导体制造的方法，本发明的一实施例中，提供一衬底包含一光刻胶层，并使光刻胶层曝光。曝光的光刻胶层再进行显影，应用一化学清洗步骤于此曝光的光刻胶层。此化学清洗步骤包含以一醇基的清洗溶液清洗衬底后，将衬底旋...

本发明公开一种工厂自动化系统，其用以实现一半导体制造厂的跨不同自动物料处理系统的晶片传输，包括一主物料控制系统与一桥接器。该主物料控制系统可与一第一物料管制系统以及一第二物料管制系统相互通讯，其中该第一物料管制系统可与一第一供应商的一第...

一种半导体电性针测测试管理系统及方法。从客户端电脑接收控制请求信息，驱动探针驱动装置中的针测单元或晶圆进行校准，将针测单元的探针接触晶圆的特定区域，接着执行电性针测测试。发出至少一个相应于控制请求信息的控制指令来驱动探针驱动装置，进行针...

本发明涉及一种用于制作先进的磁性随机存取记忆阵列（ＭＲＡＭ）的技术，供建构记忆体集成电路芯片。更特别地，本发明涉及一种集成电路记忆体芯片，其包含至少一高速磁性记忆胞阵列与至少一高密度磁性记忆胞阵列的组合。因此，揭露于此的记忆体芯片，在同...

本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极／漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极／漏极区上；以及，增高式金属化源极／漏极区，介于硅化物区与栅极之间。其中，增高式金属化源极／漏极...

本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，此鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底，具有鳍状物结构，介于包含顶部与底部的两个沟槽之间；浅沟槽隔离物，形成于该沟槽的底部；栅极电极，位于该鳍状物结构以及该浅沟槽隔离物的上方，其中该栅极电极大体上...