一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含：　　　　一第一张应力层，置于该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该Ｎ型金属氧化物半...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括半导体衬底。图案化的栅极结构设置于该半导体衬底上。单边间隙壁设置于该栅极结构的第一侧壁上。第一型的体掺杂区域形成于该半导体衬底内，且邻近该栅极结构的第二侧壁。第二型的源极掺杂区域形...

本发明公开了一种图像传感器半导体器件。此半导体器件包括传感组件，置于半导体基板内；层间介电材料（ＩＬＤ），置于半导体基板上；以及沟槽，置于ＩＬＤ内，覆盖并包围传感组件，且填充有第一介电材料。

本发明是有关一种利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法，借此校准用于测量半导体元件特征的度量工具。利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法包括以下步骤：测量一第一间距；测量一第二间距，其中该第二间距自该第一间距偏移一间距偏移值；进行一比较...

本发明揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、与Ｎ型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述Ｎ型金属氧化物半导体装置具有肖特基源极／漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括Ｐ型金属氧化物半导体装置在上述半导体...

本发明公开一种半导体结构，包括与半导体芯片的边缘相邻的串状链。上述串状链包括：多个水平金属线，分布于多个金属化层中，其中上述水平金属线为串联的状态；多个连接垫，位于同一层中，上述连接垫电性连接上述水平金属线，其中上述连接垫在结构上互相隔...

本发明是关于一种双栅极半导体的制造方法，包括形成一栅极堆叠，其具有一第一部分及一第二部分，第一部分及第二部分包括不同的堆叠层组成。形成一光阻结构于栅极堆叠上以保护用来形成栅极结构的材料。蚀刻除去部分未被保护的材料，形成一与至少一配置于基...

一种集成电路、双端口静态随机存取存储器单元以及半导体架构集成电路。该集成电路包括第一晶体管与第二晶体管。该第一晶体管包括具有第一源极与第一漏极的第一有源区，以及位于该第一有源区上方的第一栅极电极。该第二晶体管包括具有第二源极与第二漏极的...

本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述...

在半导体制造工艺中测试晶圆以及找出产生缺陷原因的方法。一种在晶圆上形成当前最上层之后测试晶圆的方法。在形成当前最上层后收集晶圆的由多个晶圆曲率变化量推导得出应力数据。应力数据包括：晶圆上有限区域集合中各区域的ｘ方向应力与ｙ方向应力，上述...

本发明提供一种集成电路的结构，其包括：半导体基底；金属化层，在该半导体基底上方；第一介电层，在该半导体基底与该金属化层之间；第二介电层，在该半导体基底与该金属化层之间，其中该第二介电层在该第一介电层上方；以及接触插塞，其具有上部及下部，...

一种半导体元件，即一种使用焊垫金属层的电感，包括金属螺旋体、金属桥接体以及金属互连，金属桥接体是以焊垫金属层与多个连接窗形成，且有一端与金属螺旋体连接，金属互连与金属螺旋体的另一端连接，此外，焊垫金属层的电阻系数比金属螺旋体要低。本发明...

本发明提供一种微电子装置及其制造方法。该微电子装置的制造方法包括使用光刻扫描器，以一第一速度，对基底上的虚设区进行曝光，使用光刻扫描器，以一第二速度，对基底上的虚设区进行曝光，其中第一速度大体上比第二速度快；另一实施例揭示微电子装置的另...

本发明提供一种高压元件，包括：半导体基板；第一阱区，位于上述半导体基板中，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于上述半导体基板中，且相邻于上述第一阱区，上述第二阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；场效应环状物，形成于一部...

一种图像感应元件包括：半导体基底，其具有正面与背面；多个像素形成于该半导体基底的正面上；以及多个栅格阵列与该多个像素中的至少一个像素对齐。该多个栅格阵列中的一个允许光线的一个波长穿过至该多个像素中相对应的一个。该多个栅格阵列于该半导体基...

一种光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法。该方法包含：找出一工艺参数；找出该薄膜的折射率以及消光系数分别为该工艺参数的函数；在回归模拟时，利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数；借着取得该工艺参数的一最佳值完成该...

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法。该半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层而位于该介电层内部；形成一第二非导电阻障层于该第一...

本发明是关于一种方法与装置，用以分配时脉信号于整个集成电路中。本发明的实施例至少包括包含有时脉信号分配网路本身，或串联至时脉信号产生器的时脉信号分配网路的分配晶粒（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　　Ｄｉｅ）。此分配晶粒是通过介面技术（如微凸块...

本发明提供一种半导体封装体及硅基封装基板，上述半导体封装体包括：硅基封装基板，其厚度小于２００μｍ；半导体芯片，包括至少一个低介电常数介电层，其低介电常数小于３．０；以及多个焊料凸块，设置于该半导体芯片与该硅基封装基板之间。本发明能够减...

本发明提供一种集成电路，包括第一核心电路以及第二核心电路。第一核心电路包括第一金属氧化物半导体元件，其中第一金属氧化物半导体元件的第一栅极介电质具有第一厚度。第二核心电路包括第二金属氧化物半导体元件，其中第二金属氧化物半导体元件的第二栅...