【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置的领域，特别涉及具有一外置应力源层的半导体 装置及其制造方法。
技术介绍
在今日，小型的电子装置的用途己经相当广泛、多元，且已成为现代社 会中普遍存在的一部分，其应用范围包含电脑、电话通讯、家庭娱乐、及其 它领域之间。这是因为近来科技的进步，已扩大其功能范围，并降低其价格。 这一先进科技的一项关键部分是半导体装置的发展。所谓的半导体，是在某些特定情况下才具导电性的材料，该情况常包含少量电荷的存在，而得以制造固态开关(solid-state switch)，其不具有任何 活动元件(moving part)。同样地，也可使用半导体来设计其他标准(与新 的)电气装置。除了不容易遭受疲劳或其他机械性的失效的活动元件之外， 在固态装置的制造方面，将其尺寸制作得极小。目前使用非常小、甚至是在 显微镜中才看得到的电气部件，才能提供今日电子应用领域中所需的大量的 开关与电容器。用于制造非常微小的半导体元件的工艺种类很多，但是其基本工艺可大 致叙述如下。首先制造一材料例如硅，作为一基材或衬底，可在其上建构出 各式各样的电气构件。然后，将上述材料形成为一适当...
【技术保护点】
一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含：一第一张应力层，置于该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的漏极区上；以及一第一压应力层，位于该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方。
【技术特征摘要】
1.一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一N型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含一第一张应力层，置于该N型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极区上；以及一第一压应力层，位于该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方。2. 如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体装置，还包含至少一 P型金属氧化物半导体晶体管； 一第二张应力层，置于该P型金属氧化物半 导体晶体管的栅极结构上方；以及一第二压应力层，形成于该P型金属氧化 物半导体晶体管的源极区与该P型金属氧化物半导体晶体管的漏极区的上 方。3. —种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一 P型金属氧化物半导 体晶体管，每个晶体管具有一源极区、 一漏极区、与一栅极结构，该互补型 金属氧化物半导体装置包含一第一张应力层，置于该N型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该P 型金属氧化物半导体晶体管的漏极区上；以及一第一压应力层，位于该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方。4. 一种半导体装置，包含 一衬底；至少一晶体管，形成于该衬底上； 一接触孔蚀刻停止层，形成于该晶体管上方； 一层间介电层，形成于该...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛崇祜，柯志欣，李文钦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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