温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含：　　　　一第一张应力层，置于该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该Ｎ型金属氧化物半导体...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。