半导体结构及半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法。该半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层而位于该介电层内部；形成一第二非导电阻障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及移除至少一部分该第二非导电阻障层，借此至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口的下表面。通过本发明专利技术，不需外加化学机械研磨步骤或电解抛光步骤来移除形成于介电层的上表面和导电层之间的导电阻障层，使得避免或减少在执行化学机械研磨步骤以移除导电阻障层时所导致的介电层损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体装置的制造方法，且特别有关于一种通孔/接触 窗和/或镶嵌结构的。
技术介绍
随着电子产品的发展，半导体制造技术已广泛应用于制造存储器、中央处理器(central processing units, CPUs)、液晶显示器(LCDs)、发光二极管 (LEDs)、激光二极管及其它装置或芯片。然而，为了使得半导体装置达到高 集成度和高操作速度的目标并持续发展电子产品，因此，必须持续地縮小半 导体集成电路的尺寸。此外，业界经常使用具有低介电常数的介电质材料和 低阻值金属材料来降低原件的寄生电容和电阻—电容时间延迟(RC time delays),以提高集成电路的操作速度。图1为一公知的半导体结构的剖面图，其绘示一通孔结构的形成方法。 请参阅图1，其显示金属线110形成于基底100上。随后，介电层120 形成于基底100和金属线110上，且在介电层120内形成多个孔洞(holes,图 未标示)，这些孔洞可为通孔(via)，但也可表示为形成于镶嵌结构中的接触窗 孔(contacthole)或沟槽。之后，形成例如钽/氮化钽扩散阻障层的导电扩散阻 障层130于介电层120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤：　　　　形成一介电层于一基底之上；　　　　形成一第一非导电阻障层于该介电层上；　　　　形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层并位于该介电层内；　　　　形成一第二非导电阻障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及　　　　移除至少一部分该第二非导电阻障层，借以至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口的下表面。

【技术特征摘要】
US 2007-3-1 11/680,9811. 一种半导体结构的形成方法，包括如下步骤形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层并位于该介电层内；形成一第二非导电阻障层于该第一非导电阻障层之上和该开口内；以及移除至少一部分该第二非导电阻障层，借以至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的上表面和该开口的下表面。2. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括如下步骤 形成一籽晶层于该第一非导电阻障层的该上表面和该开口的该下表面之上；以及形成一导电层于该籽晶层之上。3. 如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，还包括通过一化学机 械研磨步骤或一电解抛光步骤移除至少一部分的该导电层和该籽晶层，借以 至少部分地暴露出该第一非导电阻障层的该上表面。4. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中在移除至少一部 分的该第二非导电阻障层的步骤之后，留下剩余的该第二非导电阻障层于该 开口侧壁上。5. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该移除至少一部 分的该第二非导电阻障层的步骤包括一干蚀刻步骤。6. 如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中该干蚀刻步骤实 质上非...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世杰，王英郎，陈科维，曹荣志，王喻生，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]