温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法。该半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一基底之上；形成一第一非导电阻障层于该介电层上；形成至少一开口，其穿过该第一非导电阻障层而位于该介电层内部；形成一第二非导电阻障层于该第一非导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。