双栅极半导体的制造方法技术

本发明专利技术是关于一种双栅极半导体的制造方法，包括形成一栅极堆叠，其具有一第一部分及一第二部分，第一部分及第二部分包括不同的堆叠层组成。形成一光阻结构于栅极堆叠上以保护用来形成栅极结构的材料。蚀刻除去部分未被保护的材料，形成一与至少一配置于基板上的栅极结构相邻接的凹部，并分别于凹部中形成源极与漏极区域。接着移除非属于栅极结构的栅极堆叠层的剩余部分。一实施例中，在蚀刻形成源极与漏极之前，在栅极结构的垂直侧形成一氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，特别是涉及一种高效率的双 栅极半导体元件的制造方法，此半导体元件的两个栅极结构具有不同的组 成份。
技术介绍
制造半导体元件一般是利用一些连续的工艺步骤来完成。要制作完成 一个半导体元件，每增加一个工艺步骤即是代表成本的增加，因此对于近 年来市场上朝向更小、密度更高的元件组成且功能更强大的需求来说，开 发出更有效率且不会牺牲品质及可靠度的方法显得格外重要。一般来说，半导体元件是一种与电有关的元件组成；或是在一个以半 导体材料(例如硅)所构成的基板上制造而成的元件组成。举例来说，这类元 件可包括二极管、电容器、晶体管及上述这些基本元件所组合而成的装置。 目前的半导体元件是在晶圓上制造大量的微小部件。晶圆通常是以半导体 材料所制成的圓形薄片，并作为制作半导体元件的基板。晶圆在元件制造 完成后会被切成一些小方块，经过封装后成为可供单独个别使用的晶片， 封装好的晶片可应用于不同的电子装置中，例如个人电脑、行动电话或个 人数位助理(PDA)。现今的许多晶片甚至可包括多个的单元，每个单元可用 以执行其个别的功能或与其他单元共同执行某些功能。为了完成这些功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双栅极半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一不对称栅极堆叠，其具有一第一部份及一第二部分，该第一部份包括一金属层；蚀刻一第二栅极结构于该第二部分，并部分地蚀刻该第一部分以形成一第一栅极结构，其中第一栅极结 构的部分地蚀刻并未移除该金属层；形成一介电层于各该栅极结构的至少一部份上；蚀刻凹部作为一源极及一汲极区域邻接于该第二栅极结构，并同时部分地移除构成该第一栅极结构部分以外的金属层；以及形成一源极于该源极区域的凹部及一汲 极于该汲极区域的凹部。

【技术特征摘要】
US 2007-2-16 11/707,4901、一种双栅极半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤形成一不对称栅极堆叠，其具有一第一部份及一第二部分，该第一部份包括一金属层；蚀刻一第二栅极结构于该第二部分，并部分地蚀刻该第一部分以形成一第一栅极结构，其中第一栅极结构的部分地蚀刻并未移除该金属层；形成一介电层于各该栅极结构的至少一部份上；蚀刻凹部作为一源极及一汲极区域邻接于该第二栅极结构，并同时部分地移除构成该第一栅极结构部分以外的金属层；以及形成一源极于该源极区域的凹部及一汲极于该汲极区域的凹部。2、 根据权利要求1所述的双栅极半导体元件的制造方法，其特征在于 所述的不对称堆叠栅极的第 一部份更包括一设置于该金属层下方的第 一介 电层。3、 根据权利要求1所述的双栅极半导体元件的制造方法其特征在于所 述的第 一介电层是使用 一 高介电常数材料所形成，具有大于二氧化硅的介 电常数。4、 根据权利要求1所述的双栅极半导体元件的制造方法，其特征在于 还包括移除构成该第 一栅极结构以外的高介电常数材料层部分。5、 根据权利要求1所述的双栅极半导体元件的制造方法，其特征在于 所述的双栅极半导体元件为一互补型金氧半导体元件。6、 根据权利要求1所述的双栅极半导体元件的制造方法，其特征在于 所述的源极区域、汲极区域与该第二栅极结构构成一 P型金氧半导体元件 或一N型金氧半导体元件。7、 根据权利要求1所述的双栅极半...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶震南，梁孟松，陈嘉仁，邱远鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]