本发明公开一种半导体装置的制造方法及影像感测装置，该方法包括：提供具有第一导电型的半导体衬底。在半导体衬底中形成多个感测元件。在感测元件之间形成隔离部件。使用至少两种不同注入能量来进行离子注入，以在大体位于隔离部件下方形成具有第一导电型...

本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器（ｅＤＲＡＭ）装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中...

本发明揭示一种半导体结构的制造方法。形成第一半导体芯片及与其相同的第二半导体芯片，其中第一及第二半导体芯片各包括：识别电路以及多个输入／输出导电路径。输入／输出导电路径连接至第一及第二半导体芯片单独的存储器电路，其中输入／输出导电路径包...

本发明提供一种半导体结构与芯片，该半导体结构包括：第一与第二半导体条，从半导体衬底的上表面延伸进入半导体衬底；第一与第二绝缘区，位于半导体衬底中且围绕着第一与第二半导体条的底部，第一绝缘区的上表面低于第一半导体条的上表面、第二半导体条的...

本发明提供一种半导体元件测试结构。一实施例包括多个金属探针，这些探针连接至重分布层而将具有较小间距的探针向外侧连线至位于基底中具有较大间距的金属插塞。金属探针可使用半导体工艺来形成，可将较小金属层加到较大金属层或从探针移除小部分的金属。...

一种集成电路结构，包括一半导体底材、一介电层、一金属熔丝、一无功能样品图案及一金属线。该介电层成形于该半导体底材上。该金属熔丝成形于该介电层中。该无功能样品图案邻接于该金属熔丝。该金属线成形于该介电层中。该金属熔丝的厚度小于该金属线的厚度。

本发明提供一种图像传感装置、其形成方法及半导体装置，该图像传感装置包括：半导体基底，其具有第一类型导电性；半导体层，其具有该第一类型导电性，该半导体层在该半导体基底上方；以及多个像素，在该半导体层中；其中该半导体层包括第一深阱区及第二深...

提供一种金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管。该半导体晶体管包括形成于半导体衬底的金属氧化物半导体晶体管，其中，此半导体衬底为第一导电型，且具有第一导电型的栓塞区域；此栓塞区域形成于第二导电型的漏极延伸区域（就高压金属氧化...

本发明提供一种图像感测装置及其形成方法和半导体装置。其中该图像感测装置包括：半导体衬底，其具有第一类型导电性；第一材料层，在该半导体衬底上方，该第一材料层具有该第一类型导电性；第二材料层，在该第一材料层上方，该第二材料层具有第二类型导电...

本发明是有关于一种半导体制造的方法，包含形成叠置偏移（Ｏｖｅｒｌａｙ　　Ｏｆｆｓｅｔ）的量测标的，此量测标的包含有位于第一材料层上的第一特征和位于第二材料层上的第二特征。第一特征和第二特征具有一第一预设叠置偏移。照射量测标的，并决定此被...

一种双镶嵌制造工艺，包括：提供上面形成介电层的半导体衬底；在介电层上形成第一光致抗蚀剂层，第一光致抗蚀剂层含有对应沟槽图案的第一开口；在第一光致抗蚀剂层以及部分介电层上覆盖形成第二光致抗蚀剂层，第二光致抗蚀剂层包含小于该沟槽图案的第二开...

一种自动化物料处理系统（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　　Ｍａｔｅｒｉａｌ　　Ｈａｎｄｌｉｎｇ　　Ｓｙｓｔｅｍ；ＡＭＨＳ），至少包括多个用以物料储存的第一储存仓（Ｓｔｏｃｋｅｒｓ），以及多个用以物料传输的较小的第二储存仓，其中第二储存仓只有放货的装...

一种以单轴向机械应力（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　　ｕｎｉａｘｉａｌ　　ｓｔｒａｉｎ）增强性能的双载子互补式金属氧化物半导体元件。于本发明第一实施例中包括一ＮＭＯＳ晶体管、一ＰＭＯＳ与一双极晶体管形成于基底的不同区域。一具有张应力的第一接触窗...

本发明提供一种化学电镀沉积装置及在半导体晶圆上形成导电层结构的方法。上述化学电镀沉积装置包括：化学电镀槽，其具有电镀液池，用以在衬底上沉积金属层；主要阴极与阳极，设置于电镀液池中，用以提供主要电场；衬底固定装置，固定半导体晶圆，且连接该...

本发明公开一种存储装置及其制造方法。上述存储装置包含：基底；和第一栅极，位于上述基底上。在上述第一栅极的上表面上的是第二栅极，上述第二栅极具有延伸至上述基底旁的空间与上述第一栅极的侧壁旁的多个端部。另外，介电层，具有第一部分，夹在上述第...

一种处理集成电路的方法与生产工具。所述方法包括：提供具有第一尺寸级的第一集成电路，以及产生具有第二尺寸的第二集成电路，其中，第二尺寸小于第一尺寸级。所述第一集成电路包含有一可缩小（Ｓｈｒｉｎｋａｂｌｅ）的电路和一不可缩小的电路，所述可缩...

一种半导体装置的制造方法及背照式半导体装置，该半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一个影像传感器邻接于该第一表面；利用局部退火工艺以活化在该半导体基板中邻接该第二表面的掺杂层；以及对该掺...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体晶粒，具有与电路元件连接的电源与接地布线；多个贯穿晶圆的介层窗，置于该半导体晶粒内，与该电源及接地布线连接；基板，与该半导体晶粒连接，且该基板具有与该贯穿晶圆的介层窗连接且用...

本发明揭示互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法与制造系统，其中该互补式金属氧化物半导体影像传感器的制造方法包括以下步骤：形成一光二极管于一基底中；形成一源极区与一漏极区于上述基底中，其中上述源极区与上述漏极区的其中之一延伸至上述光...

本发明提供一种包括测试结构的半导体晶粒。半导体晶粒包括一回路结构形成在该半导体晶粒的第一表面上。该回路结构包括第一接合垫，在该第一表面上；第二接合垫，在该第一表面上，其中该第一及第二接合垫与该半导体晶粒中的集成电路为电性分离。导电结构与...