集成电路结构制造技术

本发明专利技术涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介电层、以及由介电层的上表面向穿透硅通道延伸的金属柱，其中金属柱包含与穿透硅通道的填充材料相同的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路结构，且特别涉及一种具有外形从一端逐渐变窄的穿透硅通道(Through-SiliconVia)的集成电路结构及其制造方法。
技术介绍
由于电子元件(例如晶体管、二极管、电阻及电容等)的集成密度持续增 加，使得集成电路专利技术与半导体产业持续不断地快速成长。其中，集成密度的 改善最主要是源自于反复不断地降低最小关键尺寸，以允许更多元件被集成在 一个特定的芯片区域中。集成密度的改善基本上是二维的范畴，集成电路元件所占据的空间，基本 上位于半导体晶片的表面。虽然光刻工艺的惊人发展，已经对二维集成电路制 造提供了一定程度的改善，然而集成密度在二维中所能达到的改进程度仍然存 在本质上的限制。其中一个限制条件来自于制造这些元件所需的最小尺寸。当 要将更多元件纳入单一芯片时，就必须需要更复杂的设计。另一个限制条件则来自于，当元件数量增加时，连接元件之间的内连线的 数目和长度也大幅度增加。当内连线的数目和长度大幅度增加时，电路阻容延 迟(RC Delay)和能量消耗也会随之增加。解决上述限制条件的方案中，以三维集成电路和叠层芯片最常被使用。穿 透硅通道在三维集成电路和叠层芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构，包括：　　　　衬底；　　　　穿透硅通道，位于该衬底之内，其中该穿透硅通道从一端逐渐变窄；　　　　硬掩膜，由该衬底的上表面延伸进入该衬底，其中该硬掩膜环绕该穿透硅通道的上方部分；　　　　多个介电层，位于该衬底上方；以及　　　　金属柱，由该介电层的上表面延伸至该穿透硅通道，其中该金属柱包括与该穿透硅通道的填充材料相同的材料。

【技术特征摘要】
US 2007-5-16 11/803,7831、一种集成电路结构，包括衬底；穿透硅通道，位于该衬底之内，其中该穿透硅通道从一端逐渐变窄；硬掩膜，由该衬底的上表面延伸进入该衬底，其中该硬掩膜环绕该穿透硅通道的上方部分；多个介电层，位于该衬底上方；以及金属柱，由该介电层的上表面延伸至该穿透硅通道，其中该金属柱包括与该穿透硅通道的填充材料相同的材料。2、 根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包括环形的蚀 刻终止层，位于该介电层与该硬掩膜之间，其中该蚀刻终止层仅环绕该金属 柱的下方部分。3、 根据权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，该蚀刻终止层是 多晶硅层，且该衬底是硅衬底。4、 根据权利要求l所述的集成电路结构，其特征在于，该硬掩膜的厚度 小于该穿透硅通道的高度。5、 根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该硬掩膜的厚度 小于1 y m。6、 根据权利要求l所述的集成电路结构，其特征在于，该穿透硅通道的 侧壁具有小于90。的倾斜角度。7、 根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包括一浅沟槽 绝缘区，用来绝缘多个有源器件，其中该硬掩膜与该浅沟槽绝缘区具有相同 的厚度，并且由相同材料所构成。8、 根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈承先，郭正铮，卿恺明，陈志华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]