集成电路制造技术

本发明专利技术提供了一种增加背照式图像感测器的光灵敏度的系统与方法。此系统为集成电路，包括衬底，其具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于衬底的第一表面及感光区上；彩色滤光片，位于衬底的第二表面上；以及微镜片结构，位于彩色滤光片与第二衬底的第二表面之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种背照式图像感测器，更特别涉及此感测器的集成电路。
技术介绍
固态图像感测器如CMOS图像感测器(以下简称CIS)及电荷耦合感测元 件(以下简称CCD)可应用于多种图像感测元件如摄影机。为了改善填充因子 的问题，图像感测器已开始采用背照式(以下简称BSI)取代前照式(以下简称 FSI)。如同字面上的意义，BSI图像感测器的图像来源为支撑图像感测电路 的衬底背面。如此一来，衬底的厚度必需尽可能的薄化。由于BSI的衬底较 薄，其感光区域与彩色滤光片的距离也随之縮减，BSI应比FSI具有较佳的 灵敏度、较低的串音、较佳的量子效率。然而因为种种原因，目前BSI图像 感测器的灵敏度仍无法与FSI图像感测器相比。
技术实现思路
本专利技术提供一种集成电路，包括衬底，具有相对的第一表面与第二表面； 图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于衬底的第一表面及感光区上；彩 色滤光片，位于衬底的第二表面上；以及微镜片结构，位于彩色滤光片与第 二衬底的第二表面之间。根据本专利技术的集成电路，其中该微镜片结构的折射率小于或等于2.0。本专利技术也提供一种集成电路，包括衬底，具有相对的第一表面与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：　　　　衬底，具有相对的第一表面与第二表面；　　　　图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于所述衬底的所述第一表面及感光区上；　　　　彩色滤光片，位于所述衬底的所述第二表面上；以及　　　　微镜片结构，位于所述彩色滤光片与所述第二衬底的所述第二表面之间。

【技术特征摘要】
US 2007-4-2 11/695,3631.一种集成电路，包括衬底，具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于所述衬底的所述第一表面及感光区上；彩色滤光片，位于所述衬底的所述第二表面上；以及微镜片结构，位于所述彩色滤光片与所述第二衬底的所述第二表面之间。2. 如权利要求1所述的集成电路，其中所述微镜片结构的折射率小于或 等于2.0。3. —种集成电路，包括衬底，具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于所述衬底的所述第一表面及 感光区上；第一微镜片结构，形成于所述衬底的所述第二表面上； 彩色滤光片，位于所述第一微镜片结构上；以及 第二微镜片结构，位于所述彩色滤光片上。4. 如权利要求3所述的集成电路，其中所述第一微镜片结构的折射率大 于或等于所述第二微镜片结构的折射率。5. 如权利要求3所述的集成电路，其中所述第一微镜片结构的曲率半径 大于或等于所述第二微镜片结构的曲率半径。6. 如权利要求3所述的集成电路，其中所述第一微镜片结构包括第一材 料，所述第二微镜片结构包括第二材料，其中所述第一材料与所述第二材料 不同。7. —种集成电路，包括衬底，具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于所述衬底的所述第一表面及 感光区上；第一微镜片结构，形成于...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅士奇，蔡嘉雄，萧国裕，刘铭棋，许峰嘉，许慈轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]