集成电路制造技术

技术编号:3407140 阅读:162 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种集成回转器结构,其中回转器内核(优选MOS设备)内的各个晶体管具有与之相联系的串联反馈。这允许在大带宽范围内补偿MOS晶体管内沟道延迟的影响。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路,具体地涉及集成模拟滤波器电路。
技术介绍
在集成电路中,实现电感器是非常难的,除了具有很低电感系数的电感器。作为一个结果,除了在甚高频,通常只可能使用RC滤波器(用电阻器和电容器)。作为一种选择,有源滤波器经常被使用。这种器件使用互导元件例如晶体管,与电容器结合,它们能一起形成积分器或者回转器(gyrator),并能模拟电阻器的阻抗。在Nauta的“一种适合于甚高频的CMOS互导-C滤波器技术”,IEEE Journal of Solid State Circuits,第27卷,第2期,1992二月中提出一个为了用在一个甚高频滤波器中的集成回转器结构。作者对电路的一阶分析作出结论提出的回转器表现稳定。该作者也提出一个Q调整回路,以在甚高频为滤波器提供一个可控的Q值。专利技术概述本专利技术起因于认识到对先有技术结构的这种一阶分析导致一个对本结构的不完全的理解。具体地,对MOS晶体管的更详细的分析揭示由于晶体管的沟道内带电粒子的行为,各个MOS晶体管增加一个延迟元件。更具体地,沟道电荷的非准静态行为增加一个延迟,这在设备互导的频率特性上,可以被近似为一个寄生电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个集成电路回转器,具有与其中的至少一些晶体管相联系的串联反馈。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:S马蒂松H盖斯
申请(专利权)人:艾利森电话股份有限公司
类型:发明
国别省市:SE[瑞典]

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