集成电路制造技术

本发明专利技术涉及一种集成电路，其包括ＭＯＳ末级晶体管（Ｔ１）；控制端子（ＴｘＤ），用以施加控制信号，控制末级晶体管（Ｔ１）的导通和截止；充电晶体管（ＬＴ），在末级晶体管（Ｔ１）导通时向末级晶体管（Ｔ１）的栅极（ＧＥ）施加充电电流（１１），在末级晶体管（Ｔ１）截止时向末级晶体管（Ｔ１）的栅极（ＧＥ）施加放电电流（Ｉ２）。按照本发明专利技术设置了关断控制单元（ＡＳＥ），其在末级晶体管（Ｔ１）截止时，在第二时间间隔中向该栅极（ＧＥ）施加附加的放电电流（ＩＺＥ），而在第二时间间隔结束时关断附加的放电电流（ＩＺＥ）。其用途例如用于现场总线驱动器。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
集成电路，包括：－ＭＯＳ末级晶体管（Ｔ１），－控制端子（ＴｘＤ），用以施加控制信号，控制末级晶体管（Ｔ１）的导通和截止，－充电晶体管（ＬＴ），其在末级晶体管（Ｔ１）导通时给末级晶体管（Ｔ１）的栅极（ＧＥ）施加充电电流（Ｉ１），－放电晶体管（ＥＴ），其在末级晶体管（Ｔ１）截止时给末级晶体管（Ｔ１）栅极（ＧＥ）施加放电电流（Ｉ２），和－关断控制单元（ＡＳＥ），其在末级晶体管（Ｔ１）截止时在第一时间间隔中给该栅极（ＧＥ）施加附加的放电电流（ＩＺＥ），而第一时间间隔结束时关断附加的放电电流（ＩＺＥ），其特征在于，该关断控制单元包括：－电压确定单元（Ｔ３，ＩＳ２），用以确定末级晶体管漏极上的电压，其给出与在末级晶体管漏极上出现的电压相关的漏极电压信号（ＤＳ），－关断控制逻辑单元（ＡＬＥ），其测量该控制信号和漏极电压信号（ＤＳ）并据此产生放电电流控制信号（ＳＥ），－由放电电流控制信号控制的传递门（ＴＧ）和－双极性快速放电晶体管（ＢＴ），其中该传递门（ＴＧ）与末级晶体管的栅极和基准电位，特别是地之间的快速放电晶体管（ＢＴ）的集电极－发射极间隔串联。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼特雷霍茨哥德曼，
申请(专利权)人：爱特梅尔德国有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]