背照式半导体装置与制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种背照式半导体装置与制造方法。上述装置包括：衬底，其具有正面与背面；多个传感器元件，形成于该衬底中，所述多个传感器元件用来接收经引导朝向该背面的光线；以及传感器隔离结构，形成于该衬底中，水平配置于两个相邻的所述传感器元件间，且垂直配置于该背面与正面间。本发明专利技术能够减少或排除多个传感器像素之间的干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，且特别涉及一种背照式半导体装置与其制造方法。
技术介绍
在半导体技术中，背照式传感器可用来感应投射至衬底背面的光量。背 照式传感器可形成于衬底的正面上，而投射至衬底背面的光线可抵达上述传感器。然而，朝向传感器像素(sensor pixel)的光线也能有一部份被引导至 其他像素，因此在多个传感器像素间产生了干扰。因此业界亟需针对背照式 传感器和/或相对应衬底进行改良。
技术实现思路
本专利技术提供一种背照式半导体装置，包括衬底，其具有正面与背面；多个传感器元件，形成于该衬底中，所述多个传感器元件用来接收经引导朝向该背面的光线；以及传感器隔离结构，形成于该衬底中，水平配置于两个相邻的所述传感器元件间，且垂直配置于该背面与正面间。上述背照式半导体装置中，该传感器隔离结构可用来减低所述两个相邻的传感器元件间的光学干扰与电干扰至少其一。上述背照式半导体装置中，该传感器隔离结构可包括掺杂区。 上述背照式半导体装置中，该掺杂区的掺杂浓度可约为1014-1021原子/cm30上述背照式半导体装置中，该传感器隔离结构可使用约-lV至10 V的操作偏压。上述背照式半导体装置中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背照式半导体装置，包括：衬底，其具有正面与背面；多个传感器元件，形成于该衬底中，所述多个传感器元件用来接收经引导朝向该背面的光线；以及传感器隔离结构，形成于该衬底中，该传感器隔离结构水平配置于两个相邻的该传感器元件间，且垂直配置于该背面与正面间。

【技术特征摘要】
US 2007-1-24 11/626,7571. 一种背照式半导体装置，包括衬底，其具有正面与背面；多个传感器元件，形成于该衬底中，所述多个传感器元件用来接收经引导朝向该背面的光线；以及传感器隔离结构，形成于该衬底中，该传感器隔离结构水平配置于两个相邻的该传感器元件间，且垂直配置于该背面与正面间。2. 如权利要求1所述的背照式半导体装置，其中该传感器隔离结构用来 减低所述两个相邻的传感器元件间的光学干扰与电干扰至少其一。3. 如权利要求1所述的背照式半导体装置，其中该传感器隔离结构包括 掺杂区。4. 如权利要求3所述的背照式半导体装置，其中该掺杂区的掺杂浓度约 为10-10原子/cm3。5. 如权利要求3所述的背照式半导体装置，其中该传感器隔离结构使用 约-lV至10V的操作偏压。6. 如权利要求3所述的背照式半导体装置，其中在操作中该传感器隔离 结构为电性浮接。7. 如权利要求1所述的背照式半导体装置，其中该传感器隔离结构包括 插塞。8. 如权利要求7所述的背照式半导体装置，其中该插塞以材料填满，该 材料选自以下物质所组成的群组空气、介电材料、不透光材料、金属材料 与上述的组合。9. 如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：许慈轩，伍寿国，杨敦年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]