一种化学机械研磨系统及化学机械研磨方法，其中该化学机械研磨系统包括研磨垫、上研浆分配系统及下研浆分配系统。上研浆分配系统用以分配研浆的至少一第一研浆成分至该研磨垫上，并且具有第一研浆储存器。下研浆分配系统用以从该研磨垫的底部及经由位于该...

本发明提供一种绝缘结构的形成方法，其包括以下步骤：（ａ）于基底中形成开口；（ｂ）沿着该开口顺应性的形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及（ｃ）于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。

本发明提供一种半导体封装结构，包括：一封装基板，其具有一表面，用以接受一半导体芯片，该半导体芯片面对面连接至该封装基板，该表面上具有以多个接触垫构成的一图案，其中，各接触垫用以接受该半导体芯片的一焊接凸块，该图案包括一中央区、一外部区以...

一种半导体元件，包括：半导体基底；栅极堆栈结构（ｇａｔｅ　　ｓｔａｃｋ）位于半导体基底上；间隙壁位于该栅极堆栈结构的侧壁上；轻掺杂源／漏极区与该栅极堆栈结构邻接；深源／漏极区与该轻掺杂源／漏极区邻接；以及分段金属硅化区位于该深源／漏极区...

一种选择性应变ＭＯＳ元件，其中该ＭＯＳ元件可为由一组ＮＭＯＳ元件以及ＰＭＯＳ元件所组成的选择性应变ＰＭＯＳ元件，且其不影响ＮＭＯＳ元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材，其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及...

一种半导体晶体管阵列，具有多个相同的晶体管，其中晶体管的源极耦接至第一电压供应源，而晶体管的基极耦接至不同于第一电压供应源的第二电压供应源，因此可分别提供给源极与基极不同的电压。

本发明提供一种集成电路的制造方法，上述方法包括：提供一基板，其具有一电介质层和设置于上述电介质层中的一金属物；对上述金属物和上述电介质层进行一平坦化工艺；进行上述平坦化工艺后，对上述基板施加一清洁溶液；以及进行上述平坦化工艺后，除去上述...

本发明提供一种半导体装置及其制作方法。上述半导体装置，可以是利用互补式标准流程形成的反向性延伸金属氧化物的半导体装置，且包含栅极介电层，形成于半导体基底的上方；栅极电极，形成于该栅极介电层；轻掺杂漏／源极区域，形成于该半导体基底之中，且...

本发明提供一种分离栅极快闪存储装置，包括：一浮置栅极，形成于一基底上，其中该浮置栅极的一侧壁包括一侧向凹陷；一组合介电层，形成于该基底、该侧壁以及该浮置栅极的该侧向凹陷上；一控制栅极，形成于该组合介电层上，且覆盖至少部分的该浮置栅极；以...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光装置的制造。特别是本制造方法可减少由于晶片边缘处不良的连接质量在制造过程中对晶片的危害。在一实施例中，将晶片连接至基板之前，施以晶片边缘裁切的步骤。使用一预磨刀（ｐｒｅｇｒｉｎｄ　　ｂｌ...

本发明提供一种集成电路及形成集成电路的掩模组，该集成电路包括：半导体衬底，其具有第一区；至少一个ｐ型区，在该半导体衬底中，且多个硅锗区形成在该ｐ型区中；至少一个ｎ型区，在该半导体衬底中；其中在该第一区中的所有所述硅锗区具有第一总面积，在...

本发明提供一种半导体组件。此半导体组件包括具有阵列区及去耦合区的基板，第一介电层设置于该基板上，第二介电层设置在该第一介电层上，多个主动区形成在阵列区的第一介电层，第一电容器形成于阵列区的第二介电层，第二电容器形成于去耦合区的第二介电层...

本发明提供一种半导体集成电路装置，其包括：半导体衬底；第一应力源，位于所述衬底内；以及应变沟道晶体管，位于所述第一应力源之上，其中所述应变沟道晶体管包括应变沟道区与位于所述应变沟道区两侧的第二应力源，且所述第二应力源与第一应力源接触，所...

一种修复电路，具有至少一个形成正电压供应焊垫与较低电压供应源之间部分导通路径的电子保险丝，该修复电路包括：　　　　至少一第一开关装置，具有一控制端并耦接在该正电压供应焊垫与所述至少一电子保险丝之间；以及　　　　至少一控制电路，分别耦接至...

本发明提供了一种蚀刻装置，包括一成像镜片模块；位于该成像镜片模块下方的一基板平台，以握持一基板；用于限制流体于介于成像镜片模块与位于该基板平台上的一基板间的一空间处的一流体保存模块；以及整合于该流体储存模块内且邻近于上述空间处的一加热元...

本发明提供一种半导体结构，包括静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元、第一金属层、层间介电材料（ＩＬＤ），第一第一层接触区、第二第一层接触区以及第二层接触区。ＳＲＡＭ单元包括第一上拉ＭＯＳ装置、第一下拉ＭＯＳ装置以及第一通栅ＭＯＳ装置；层间...

本发明提供一种半导体的结构，包括：半导体基底；栅极迭层，在该半导体基底上；应力源，其至少一部分在该半导体基底中且邻接该栅极迭层，其中该应力源包括第一导电型的掺杂质；以及一部分的该半导体基底，邻接该应力源，且该部分的该半导体基底与该栅极迭...

本发明提供了一种半导体装置的制造方法，包括：提供基板；于该基板内形成凹陷区与非凹陷区，该凹陷区具有位于该凹陷区的对应侧的第一侧与第二侧；于该基板上形成第一晶体管，该第一晶体管沿该凹陷区的第一侧而设置且具有第一源极／漏极区以及第二源极／漏...

一种集成电路，包括金属层，位于金属层中的第一金属线，以及耦接到第一金属线的第一介层窗。第一介层窗具有第一介层窗宽，以及距离位于邻近金属线上最接近介层窗的第一孔距，其中第一孔距为金属层中所有介层窗中的最小孔距。此集成电路还包括位于上述金属...

本发明是有关于一种用于微影图案化的光阻材料及集成电路图案的形成方法，该光阻材料，包括第一材料及分散于第一材料中的第二材料。第二材料能扩散至光阻材料的上表面，且第二材料的蚀刻速率是相异于第一材料的蚀刻速率。该集成电路图案的形成方法，至少包...