【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体的结构，包括：半导体基底；栅极迭层，在该半导体基底上；应力源，其至少一部分在该半导体基底中且邻接该栅极迭层，其中该应力源包括第一导电型的掺杂质；以及部分的该半导体基底，邻接该应力源，且该部分的该半导体基底与该栅极迭层分别位于该应力源的两侧，其中该部分的该半导体基底被掺杂该第一导电型的掺杂质。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：莊学理，郑光茗，孙元成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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