应变沟道MOS元件制造技术

一种选择性应变ＭＯＳ元件，其中该ＭＯＳ元件可为由一组ＮＭＯＳ元件以及ＰＭＯＳ元件所组成的选择性应变ＰＭＯＳ元件，且其不影响ＮＭＯＳ元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材，其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及配置于该绝缘层上的顶半导体层；图案化该顶半导体层以及绝缘层用以形成ＭＯＳ作用区；形成ＭＯＳ元件于ＭＯＳ作用区上，且ＭＯＳ元件包括栅极结构以及沟道层；以及进行氧化工艺，将一部份的顶半导体层氧化用以在沟道层上产生应变。本发明专利技术不仅克服了现有技术的缺点以及不足，并提升了元件性能且改善其工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微电子集成电路半导体元件及其工艺，特别是涉及一 种在具有较佳电荷载子迁移率的绝缘半导体基材上形成的应变沟道电晶 体，其利用一不含磊晶步骤的工艺所形成。
技术介绍
半导体电晶体结构快速的发展，利用掺质控制CMOS元件沟道中电荷载 子导通的技术遭遇到了瓶颈。随着CMOS元件工艺缩小至纳米级工艺，具有 完全空乏区以及局部空乏区的硅绝缘层的技术能使M0SFETS能在低消耗功 率的情况下作用。然而，硅绝缘层会产生自导性加热问题因而降低电晶体 沟道层中的电荷迁移率。机械应力在电荷载子迁移率上扮演了重要的角色，而电荷载子迁移率会影响许多重要的参数，如临界电压(V》的切换、驱动电流的饱和(l。sat)以及开关切换的电流(On/Off current)。造成MOSFET元件沟道层应变的感应 机械应力以及电荷载子迁移率都被认为是被复杂的实体工艺中所产生的声 光散射现象影响。 一般来说，电荷载子迁移率的高低与驱动电流的大小是 成正比。举例来说，现有技术提供了运用晶格常数差异的磊晶法用以引起造成 沟道层上的应力而形成应变沟道。然而，所引起的应变程度会在后续的热 处理工艺，如自导性加热效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应变沟道ＭＯＳ元件，其特征在于包括：一ＭＯＳ作用区，包括：一底半导体层；一绝缘层，配置于该底半导体层之上；及一顶半导体层，配置于该绝缘层之上；一ＭＯＳ元件，位于该ＭＯＳ作用区上，且包括一栅极结构以 及一沟道层；以及一部份氧化的顶半导体层，选择性地于沟道层中形成一应变。

【技术特征摘要】
US 2006-8-2 11/497,5861.一种应变沟道MOS元件，其特征在于包括一MOS作用区，包括一底半导体层；一绝缘层，配置于该底半导体层之上；及一顶半导体层，配置于该绝缘层之上；一MOS元件，位于该MOS作用区上，且包括一栅极结构以及一沟道层；以及一部份氧化的顶半导体层，选择性地于沟道层中形成一应变。2. 根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于更包括填充 有一导体材质的凹陷区，其中该凹陷区位于邻接于MOS元件的相反两侧用 以形成源杉L/漏极区。3. 根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于更包括具有 一导体材质且提高的源极/漏极区。4. 根据权利要求1所述的应变沟道MOS元件，其特征在于其中所述的 MOS作用区借由邻接的电绝缘结构电绝缘，且该电绝缘结构为浅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈豪育，杨富量，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]