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一种选择性应变ＭＯＳ元件，其中该ＭＯＳ元件可为由一组ＮＭＯＳ元件以及ＰＭＯＳ元件所组成的选择性应变ＰＭＯＳ元件，且其不影响ＮＭＯＳ元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材，其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及配置...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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