可重编非易失性存储单元制造技术

本发明专利技术涉及一种可重编非易失性存储单元，其包括选择晶体管和数据存储元件。本发明专利技术还涉及一种此存储单元的制造方法、以及包括多个这种存储单元的存储单元阵列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可重编非易失性存储单元，其存储特征是以介 电层的介电击穿的产生为基础的。另外，本专利技术涉及一种制造这种 存储单元的方法，还涉及一种包括多个这种存储单元的存储单元阵列。
技术介绍
在各种数据处理系统和装置中，使用了所谓的非易失性存储 器。这些存储器具有存储单元，其中，即使在没有外部电源的情况 下，仍能够安全保持所存储的信息。因此，与易失性数据存储器相 反，在断开存储器的电源电压之后，不会马上丢失存储器的内容。一种已知类型的非易失性存储器是所谓的PROM存储器(可编 只读存储器)，通常可将被配置为(例如)熔丝的存储单元仅能够 ,皮编禾呈一次。》匕外，已知可重编非易失性存4诸器，例如，EPROM 存储器(可纟察可编只读存储器)和EEPROM存储器(电可纟察可编 只读存储器)。在这些存储器类型中，存储单元各包括具有隔离辅 助电极(称为浮动栅极的)的MOSFET晶体管(金属氧化物 半导体场效应晶体管)。在此，存储器的编程操作是以将电荷施加至晶体管的辅助电极 为基础的，从而设置了相关晶体管的驱动电压及其存储内容。为了 读耳又存储器，分别感应(sense)晶体管的驱动电压。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可重编非易失性存储单元，包括：选择晶体管，包括：隔离层，第一端子，在所述隔离层上，第二端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区域中，以及第三端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区域中，所述第 三端子与所述第二端子分离；以及数据存储元件，包括：第四端子，第五端子，以及可重编介电层，其中所述数据存储元件的所述第四端子与所述第五端子通过所述可重编介电层彼此分离，所述选择晶体管的所述第三端 子电连接至所述数据存储元件的所述...

【技术特征摘要】
DE 2006-8-2 102006036098.2;US 2006-8-2 11/497,5281.一种可重编非易失性存储单元，包括选择晶体管，包括隔离层，第一端子，在所述隔离层上，第二端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区域中，以及第三端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区域中，所述第三端子与所述第二端子分离；以及数据存储元件，包括第四端子，第五端子，以及可重编介电层，其中所述数据存储元件的所述第四端子与所述第五端子通过所述可重编介电层彼此分离，所述选择晶体管的所述第三端子电连接至所述数据存储元件的所述第四端子，以及所述数据存储元件的所述可重编介电层被置于与所述选择晶体管的所述隔离层大体上垂直。2. 根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述选择晶体管的所 述第三端子与所述ft据存储元件的所述第四端子是相同的端3. 根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述数据存储元件的 所述第四端子包括大体上与所述选择晶体管的所述隔离层垂 直的4姿触区。4. 根据权利要求3所述的存储单元，其中，所述数据存储元件的 所述可重编介电层在所述第四端子的所述4妄触区上。5. 根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述数据存储元件的 所述可重编介电层的厚度在2 nm至3 nm的范围内。6. 才艮据权利要求1所述的存4渚单元，其中，所述凄t据存储元件的 所述可重编介电层包括氧化层。7. —种可重编非易失性存储单元，包括选择晶体管，包括隔离层，第一端子，在所述隔离层上，第二端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区 i或中，以及第三端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区 域中，所述第三端子与所述第二端子分离；以及凄t据存储元件，包括 第四端子，第五端子，以及可重编介电层，其中所述数据存储元件的所述第四端子与所述第五端子通过 所述可重编介电层4皮此分离， 所述选择晶体管的所述第三端子电连接至所述数据存储 元件的所述第四端子，所述数据存储元件的所述第四端子包括大体上与所述选 择晶体管的所述隔离层垂直的接触区，所述凄t据存储元件的所述可重编介电层在所述4妄触区 上，以及槽的侧壁包括所述数据存〗诸元件的所述第四端子的所述 ^接触区，所述槽的所述侧壁大体上与所述隔离层垂直。8. 根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述槽的深度超过所 述第四端子的最大深度。9. 纟艮据权利要求8所述的存储单元，其中，所述槽填充有氧化层， 所述氧化层达到所述第四端子的所述最大高度之上的程度，且 所述数据存储元件的所述可重编介电层被置于所述氧化层上。10. 根据权利要求9所述的存储单元，其中，中间氧化层将所述槽 填充达到所述第四端子的所述深度之上的所述程度，且被置于 所述槽的侧壁、底部与所述氧化层中间。11. 根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述槽的深度在IOO nm至200 nm的范围内。12. 根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述选择晶体管的所 述第三端子与所述数据存储元件的所述第四端子是相同的端 子。13. —种制造可重编非易失性存^f诸单元的方法，包括提供基板；形成初始结构，所述初始结构包4舌 隔离层，在所述基板的表面上； 第一端子，在所述隔离层上，第二端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区 域中，第三端子，在所述隔离层下且在所述第一端子下的区 域中，所述第三端子与所述第二端子分离，以及接触区域，在所述第一端子下的区域中，所述接触区 域与所述第二端子分离并电连接至所述第三端子；通过在所述接触区域形成大体上与所述隔离层垂直的接 触区，形成第四端子；在所述第四端子的所述4妄触区上形成介电层；以及在所述介电层处形成第五端子，其中，所述第五端子通 过所述介电层与所述第四端子分离。14. 根据斥又利要求13所述的方法，其中，形成所述初始结构包括在所述基板的表面上形成隔离层，在所述隔离层上形成第一端子，以及在所述隔离层下且在所述第一端子下的区域中形成第二 端子、第三端子、和接触区域，所述第三端子与所述4妄触区域 间隔所述第二端子。15. 根据权利要求13所述的方法，其中，所述第三端子和所述第 四端子^皮形成为相同的端子。16. 根据权利要求13所述的方法，其中，所述介电层包括形成在 所述第四端子的所述接触区上的氧化层。17. 根据权利要求13所述的方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：克劳斯迪特尔乌费尔特，约瑟夫威勒，
申请(专利权)人：奇梦达股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]