一种非挥发性存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种非挥发性存储器结构及其制造方法，所述器件包括具有表面区域的衬底，在所述衬底的表面区域上形成多个栅极电介质层，其中至少两个栅极电介质层上分别形成有一控制栅极以及一浮动栅极，所述控制栅极和浮动栅极上依序覆盖有一阻挡层二氧化硅以及一遮蔽层氮化硅，由阻挡层和遮蔽层共同形成自对准阻挡层（ＳＡＢ层）。本发明专利技术的器件结构及其制造方法能够达到良好的数据保持性，且兼容于逻辑工艺，使制程控制更为简便，提高效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件结构及其制造方法，特別涉及一种可编程非挥 发性器件结构及其制造方法。
技术介绍
逻辑电路可以获得很好的数据处理性能，而存储器件可以获得很好的数据 保持特性，这两种器件如杲设计在同一种电路上，可以同时获得很好的数据处 理和存储性能，但是相应地，其工艺流程会变得相对复杂，成本也会很高。对于一些特殊功能的器件，如高压器件的驱动电路(Driver),要求存储的数据不 是很多，存储器件在整个电路中所占的比例较小，因此可以用逻辑工艺制造出 这种存储器件。衡量这种存储器件品质优劣最关键的性能是数据保持性(DataRetention)。 由于常规逻辑工艺中的自对准阻挡层(Salicide block, SAB)比较薄，因此，采 用常规逻辑工艺制造出的存储器件，其数据保持性较差。通过实验得知，较厚 的SAB层可以获得好的数据保持性，但是，当SAB氧化物层达到一定的厚度， 例如千A以上时，SAB层的去除变得相对困难，工艺控制也变得非常复杂。因此，如何提供一种数据保持性好，而工艺控制又相对简单的存储器件已 成为业界亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，其能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器结构，其包括具有表面区域的衬底，形成在所述衬底表面区域上的多个栅极电介质层，其中至少两个栅极电介质层上分别形成有一控制栅极以及一浮动栅极，其特征在于：所述浮动栅极上分别依序覆盖有不同材质的一阻挡层以及一遮蔽层，所述阻挡层和遮蔽层共同构成了自对准阻挡层。

【技术特征摘要】
1、一种非挥发性存储器结构，其包括具有表面区域的衬底，形成在所述衬底表面区域上的多个栅极电介质层，其中至少两个栅极电介质层上分别形成有一控制栅极以及一浮动栅极，其特征在于所述浮动栅极上分别依序覆盖有不同材质的一阻挡层以及一遮蔽层，所述阻挡层和遮蔽层共同构成了自对准阻挡层。2、 根据权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其特征在于所述阻挡层 为二氧化硅层。3、 根据权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其特征在于所述遮蔽层 为氮化硅层。4、 一...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖海波，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]