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本发明提供了一种非挥发性存储器结构及其制造方法，所述器件包括具有表面区域的衬底，在所述衬底的表面区域上形成多个栅极电介质层，其中至少两个栅极电介质层上分别形成有一控制栅极以及一浮动栅极，所述控制栅极和浮动栅极上依序覆盖有一阻挡层二氧化硅以及...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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