非易失性存储器件及其制造方法技术

一种非易失性存储器件包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。

【技术实现步骤摘要】

在此公开的本专利技术涉及一种半导体器件及制造半导体器件的方 法。更具体地讲，本专利技术涉及非易失性存储器件及制造非易失性存储 器件的方法。
技术介绍
随着半导体器件变得更集成，构成半导体器件的图形的线宽正被 减小。所述图形可以是包括栅极图形和线路的导电图形。所述导电图形的线宽的减小导致电阻增加和阻-容(RC)滞延。由此，已提出了利 用具有低电阻率的金属材料形成栅极图形的技术。例如，栅极图形可 以由具有5.5xl0—8fim的电阻率的钨(W)形成。同时，包括有硅的硅 化鸽(WSix)具有3xl0々fim至7xlO々Qm范围内的电阻率。多晶硅具 有10—Sfim的电阻率，且因此，硅化鸽的电阻率比多晶硅的电阻率小几 十倍。尽管钨具有低的电阻率，但是当钨层与栅绝缘层直接接触时，栅 绝缘层的可靠性被退化。因此，在鸽层和栅绝缘层之间可以插入半导 体层。所述半导体层可以是多晶硅层。此外，在钨层和半导体层之间 可以布置阻挡金属层。所述阻挡金属层可以起减小和/或防止半导体层 和钨层之间的界面反应和相互扩散的作用。通常，所述阻挡金属层可 以是包括氮化钨(WN)层和氮化钛(TiN)层的金属氮化物层。但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：包括单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅；以及在所述外围电路区上的外围电路栅，其中：所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-6 10-2006-01091281.一种非易失性存储器件，包括包括单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅；以及在所述外围电路区上的外围电路栅，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。2. 如权利要求l所述的非易失性存储器件，其中所述电荷存储绝 缘层包括隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。3. 如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中所述电荷存储层 包括氮化硅(Si3N4)、纳米晶体硅、纳米晶体硅锗、纳米晶体金属、 氧化铝(A1203)、氧化铪(Hf02)、铝酸铪(HfAlO)和氮氧化硅铪(HfSiON)的至少一种。4. 如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中所述阻挡绝缘层 包括具有大于所述隧穿绝缘层的介电常数的介电常数的材料。5. 如权利要求l所述的非易失性存储器件，其中所述栅电极包括 具有大于4eV的功函数的金属。6. 如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中所述栅电极包括 氮化钽(TaN)、钽(Ta)、钌(Ru)、氮化鸨(WN)、鸽(W)、 钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽钛(TaTi)、钜钼(TaPt)、氮化钽硅(TaSiN)、氮化铪(HfN)、氮化钛硅铝(Ti2AlN)、钼(Mo)禾口/ 或铂(Pt)的至少一种。7. 如权利要求l所述的非易失性存储器件，其中所述半导体层包 括多晶硅层。8. 如权利要求l所述的非易失性存储器件，其中所述欧姆层包括 金属硅化物层。9. 如权利要求l所述的非易失性存储器件，其中所述导电层包括 金属氮化物层和其上具有钨层的氮化钨层的至少一种。10. 如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括外围电路栅 的侧壁上的侧壁隔片。11. 如权利要求IO所述的非易失性存储器件，其中所述侧壁隔片 包括氧化硅层和氮化硅层的至少一种。12. —种制造非易失性存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：田尚勋，姜昌锡，崔正达，朴镇泽，孙雄喜，郑元晳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]