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一种非易失性存储器件包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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