单层多晶硅栅多次可编程器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种提供一种单层多晶硅栅ＭＴＰ器件及其制造方法，该器件也包括高压编程区域、存储器晶体管和晶体管电容区，但其高压编程区是与原高压编程区的预埋注入区电特性相同的隧道效应发生区。该方法即省却常规的埋层注入工艺而利用多晶硅栅形成后的沟道注入在高压编程区形成与预埋注入区电特性相同的隧道效应发生区；上述隧道效应发生区部分形成沟道反形层，以提高隧道效应发生区的电容、提高有源区结击穿电压。本发明专利技术通过改变器件设计，并利用现有工艺或尽可能少的改变现有工艺的前提下，通过器件设计及制造方法调整来达到成功嵌入ＭＴＰ的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路中MTP的设计及制造技术，尤其涉及一种单 层多晶硅栅MTP器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体集成电路(IC)的不断发展，目前在许多逻辑电路和高压 工艺应用中(诸如LCD-Driver等)，常常需要用到一次或多次可编程(MTP， Multi Time Programmal)存储器件。由于所需的MTP器件容量常常比较 小，因此，业界均希望利用现有工艺或尽可能少的改变现有工艺的前提下， 通过器件设计来达到嵌入MTP的技术。如图1所示，是传统的单层多晶硅栅 MTP，该类MTP—般由高压编程区域、存储器晶体管和晶体管电容区三部分 组成，其中1、预埋注入区，2、有源区，3、多晶硅栅，4、高压编程区， 5、存储器晶体管，6、晶体管电容区；上述三部分分别主要控制实现编程、 数据读出和多晶硅浮栅控制的功能，而其他传统的类似EEPR0M等MTP/0TP 结构均为业内同行所熟悉，这里不再赘述。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种单层多晶硅栅MTP器件及其制造方法，可以利用现有工艺或尽可能少的改变现有工艺的前提下，通过器件 设计及制造方法调整来达到成功嵌入MT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单层多晶硅栅ＭＴＰ器件，包括高压编程区域、存储器晶体管和晶体管电容区，其特征在于，所述高压编程区形成电特性相同的隧道效应发生区。

【技术特征摘要】
1、一种单层多晶硅栅MTP器件，包括高压编程区域、存储器晶体管和晶体管电容区，其特征在于，所述高压编程区形成电特性相同的隧道效应发生区。2、 一种制造权利要求l的器件的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚顺强，徐向明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]