温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种提供一种单层多晶硅栅ＭＴＰ器件及其制造方法，该器件也包括高压编程区域、存储器晶体管和晶体管电容区，但其高压编程区是与原高压编程区的预埋注入区电特性相同的隧道效应发生区。该方法即省却常规的埋层注入工艺而利用多晶硅栅形成后的沟道...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。