半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导结构的形成方法，包括提供一基板，形成一低介电常数介电层于该基板上，形成一导线于该低介电常数介电层中，且在一含碳硅烷化学品中，热处理该导线以形成一阻挡层于该导线上。形成一衬阻挡层于开口中以形成此导线。此衬阻挡层含有与阻挡层相同的材料，在形成阻挡层前，可去除此衬阻挡层，且衬阻挡层可含有一可被硅化的金属。本发明专利技术的半导体结构的形成方法通过形成凹槽可去除介于阻挡层交界处的脆弱点，并且阻挡层可对铜导线形成良好的密封。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及集成电路中的互连结构及其形成方法， 并且还涉及在铜导线上形成阻挡层。
技术介绍
传统的集成电路包含多条相隔的图案化金属线及多个互连，例如，流排 线、位线、字线及逻辑互连。 一般来说，垂直方向区隔金属层的图案化金属 可以以插塞互相电性连接，且形成于沟槽状开口的金属线实质上与半导体基板平行。根据目前业界的技术，半导体基板可包括8个以上的金属层以符合 元件几何及微小化的要求。双镶嵌为目前金属线及插塞主要的形成方法， 一般来说，双镶嵌程 序包括形成一开口于层间介电层中，层间介电层分离垂直方向区隔的金属 层。此开口可以传统的光刻及蚀刻技术完成。在形成开口后，于开口中填满 铜或铜合金以形成插塞或沟槽。并以一化学机械研磨程序移除层间介电层表 面多余的金属。此外，可以电阻较低的铜取代铝以形成金属线，然而，在使用铜时，尺 寸缩小及电流密度增加会对电子迁移(electro-migration, EM)及应力迁移 (stress migration, SM)的稳定度产生影响。图1显示以双镶嵌程序形成传统互连结构1的制造工艺剖面图。金属线 2、 4为铜或铜合金，其以插塞10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，包括　　　　提供一基板；　　　　在该基板上形成一低介电常数介电层；　　　　在该低介电常数介电层中形成一导线，以及　　　　在一含碳硅烷化学品中热处理该导线以在该导线上形成一阻挡层。

【技术特征摘要】
US 2006-11-21 11/602,8081.一种半导体结构的形成方法，包括提供一基板；在该基板上形成一低介电常数介电层；在该低介电常数介电层中形成一导线，以及在一含碳硅烷化学品中热处理该导线以在该导线上形成一阻挡层。2. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该导线包括铜。3. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，在该热处理时关闭等离 子体。4. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该热处理的温度介 于约150'C至约450°C。5. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该含碳硅烷化学品 选自下列所组成的族群:SiH3(CH3),、 SiH2(CH3)2、 SiH(CH3)3及上述的组合。6. 如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其中该含碳硅烷化学品 不含有Si(CH3)4。7. 如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该形成导线的步骤 包括形成一开口，该开口从该低介电常数介电层的上表面延伸至该低介电常 数介电层中；在该开口形成一阻挡层，其中该阻挡层包括一金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，陈海清，包天一，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]