双镶嵌结构的形成方法技术

一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属导线层；在所述半导体基底上形成含氮的高应力介质层；在所述含氮的高应力介质层上形成介电层；在所述介电层中形成开口。该方法形成的器件中金属导线沿介质层不会发生电击穿的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及丰导体制造
，特別涉及一种。
技术介绍
随着半导体工艺线宽的逐渐减小，业界选用铜作为后段的互连材料，相 应的，选用低介电常数材料作为绝缘材料。由于铜难以刻蚀且极易扩散，引 入双镶嵌工艺，克服难以刻蚀的缺点，并引入阻挡层阻挡铜在低介电常数材 料中的扩散，作为阻挡层的材料可以是金属材料，例如，钛、氮化钛等，也可以是介质材料，例如氧化硅等。专利申请号为02106882.8的中国专利公开了 一种双镶嵌工艺。图1至图4为述公开的双镶嵌工艺的制造方法剖面示意图。如图l所示，提供一具有金属导线层的基底IOO，所述金属导线层材质可 以是铜。在所述基底100上形成第一介质层102,所述第一介质层102用于覆盖 基底100中的金属导线层的铜表面，以避免所述铜表面曝露于空气中或其它腐 蚀性化学制程中，其形成的方法为等离子体增强化学气相沉积(PEC.VD)， 其厚度为30至100nm。在所述第一介质层102上形成第二介质层104,所述第二介质层104为低介 电常数材料。在所述第二介质层104上形成一抗反射层106，所述抗反射层106 可以是有机或无机材料。在所述抗反射层1()6上形成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双镶嵌结构的形成方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属导线层；在所述半导体基底上形成含氮的高应力介质层；在所述高应力介质层上形成介电层；在所述介电层中形成开口。

【技术特征摘要】
1、一种双镶嵌结构的形成方法，包括提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有金属导线层；在所述半导体基底上形成含氮的高应力介质层；在所述高应力介质层上形成介电层；在所述介电层中形成开口。2、 如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于所述金属 导线层材质包括铜、铝、钛、氮化钛、鴒中的一种或其组合。3、 如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于所述高应 力介质层包括氮化硅、碳氮硅化合物、氧氮硅化合物中的一种或其组合。4、 如权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于所述高应 力介质层的形成方法包括物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、低压 化学气相沉积、高密度等离子体化学气相沉积、原子层沉积中的一种。5、 如权利要求3所述双镶嵌结构的形成方法，其特征在于形成所述氮 化硅的反应气体包括硅烷和氨气。6、 如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，蓝受龙，杨小明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]