【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所公幵的实施例大体涉及集成电路器件的制备，更具体地，涉及具有应力缓冲圈(stress buffer collar)的贯穿硅的过孔 (through-silicon via)的形成。
技术介绍
过孔是集成电路(IC)器件的构造中常规使用的结构。作为例 子，可以将过孔用于形成IC管芯的互连结构中的不同导体层之间的电连接。作为进一步的例子，也可以将过孔形成为从ic管芯的背侧延伸到有源侧或前侧，这种过孔通常被称为贯穿硅的过孔。例如， 贯穿硅的过孔可以用于形成一对键合晶片的背侧互连，该键合晶片 形成最终切成许多叠置管芯的晶片叠层。此外，贯穿硅的过孔也可以用于MEMS (微电机系统)器件。可以用铜或其它导电材料填充贯穿硅的过孔，以便从管芯(或 晶片)的背侧为电路提供电连接。铜，以及其它的导电金属具有高 于硅的热膨胀系数(CTE)。例如，铜具有大约为16.5ppro/'C的CTE, 而硅具有大约为2.6 ppm厂C的CTE。在沉积铜之后以及在任何随后 的温度周期变化(例如，如在回流焊过程中、测试过程中或使用过 程中可能发生的那样)过程中，这种CTE失配可能在硅和铜(或其 它的...
【技术保护点】
一种方法，包括：在衬底中形成过孔，所述衬底包括第一材料；在所述过孔中沉积一层缓冲材料；以及在所述过孔内将第二材料沉积在所述缓冲层上，其中所述缓冲层能够吸收由所述第一和第二材料之间的热膨胀失配所引起的应力。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-6-28 11/169,5951、一种方法，包括在衬底中形成过孔，所述衬底包括第一材料；在所述过孔中沉积一层缓冲材料；以及在所述过孔内将第二材料沉积在所述缓冲层上，其中所述缓冲层能够吸收由所述第一和第二材料之间的热膨胀失配所引起的应力。2、 如权利要求l所述的方法，其中所述第一材料包括硅而所述第 二材料包括铜。3、 如权利要求2所述的方法，其中所述缓冲材料的热膨胀系数 (CTE)近似等于铜的CTE。4、 如权利要求2所述的方法，其中所述缓冲材料的CTE近似等于 硅的CTE和铜的CTE的平均数。5、 如权利要求2所述的方法，其中所述缓冲材料包括与硅和铜相 比相对柔顺的材料。6、 如权利要求l所述的方法，其中所述缓冲材料包括从包括硅酮、 丙烯酸酯、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚对二甲苯、碳氟化合 物、聚烯烃、聚酯以及环氧树脂的组中选择的材料。7、 如权利要求l所述的方法，其中所述衬底包括硅晶片，所述硅 晶片具有形成在前侧上的电路和相反的背侧，且其中形成过孔包括从 所述晶片背侧形成过孔，所述过孔延伸到邻近所述晶片前侧的导体。8、 如权利要求l所述的方法，其中沉积一层缓冲材料包括.-沉积一层所述缓冲材料以填充所述过孔；以及 在所述缓冲材料中形成孔，所述孔延伸到邻近所述过孔的底部。9、 如权利要求8所述的方法，其中利用选自包括激光烧蚀、蚀亥ij、 平版印刷和研磨的组的工艺形成所述孔。10、 如权利要求8所述的方法，其中利用旋涂工艺沉积所述缓冲 材料层。11、 如权利要求l所述的方法，其中沉积一层所述缓冲材料包括: 在所述过孔中沉积所述缓冲材料的保形层；以及 从所述过孔的底部去除一部分所述缓冲层。12、 如权利要求ll所述的方法，其中利用化学气相沉积(CVD) 工艺沉积所述缓冲材料层。13、 如权利要求l所述的方法，还包括在沉积所述缓冲层之前在 所述过孔中沉积绝缘层和钝化层中的至少一个。14、 如权利要求13所述的方法，还包括从所述过孔的底部去除所 述至少一层的一部分。15、 如权利要求l所述的方法，还包括在沉积所述第二材料之前 在所述缓冲层上沉积晶种层和阻挡层中的至少一个。16、 一种方法，包括在衬底中形成过孔，所述衬底包括具有第一热膨胀系数(CTE) 的第一材料；在所述过孔中沉积一层第二材料，所述第二材料具有第二CTE;以及在所述过孔内将第三材料沉积在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：L阿拉纳，D纳特卡，M纽曼，C古鲁默西，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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