化学机械研磨后残留物的去除方法技术

一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一半导体晶片；用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨；用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。该方法能够去除研磨后的污染物残留。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种鴒的化学机械研磨后残 留物的去除方法。
技术介绍
随着半导体器件日益减小，由于多层互连或填充深宽比较大的沉积过程 导致了晶片表面过大的起伏，引起光刻工艺聚焦的困难，使得对线宽控制能力减弱，降低了整个晶片上的线宽的一致性，业界引入化学机械研磨(chemical mechanical planarization,CMP )来平坦化晶片表面。其步骤为，将硅片放置于 一研磨头上，并使所述硅片表面向下与一抛光垫接触，然后通过硅片表面和 抛光垫之间的相对运动将所述硅片表面平坦化。在CMP过程中，在硅片表面 和抛光垫之间供给有研磨液(Slurry)，所述研磨液一般包含有化学腐蚀剂和 研磨颗粒，通过化学腐蚀剂和所述待研磨表面的化学反应生成较软的容易被 去除的材料，通过研磨颗粒的机械作用将所述较软的材料去除。研磨后，研 磨液中的化学腐蚀剂和晶片表面反应生成的反应物以及研磨颗粒易附着在晶 片表面形成污染物残留，该污染物残留对器件的电性及工艺制造均会造成影 响，特别是后端铜互连和鴒插塞制造工艺对所述污染物残留更加敏感，因而 需要尽可能的减少或去除该污染物残留本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括：提供一半导体晶片；用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨；用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。

【技术特征摘要】
1、一种化学机械研磨后残留物的去除方法，包括提供一半导体晶片；用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨；用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。2、 如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于 所述氧化剂为硝酸铁、氰亚铁酸盐、硫酸盐、高锰酸盐中的一种或其组合。3、 如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于 所述研磨剂为CMP3200、 CR90中的一种或其组合。4、 如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于 所述酸性溶液为草酸、柠檬酸、醋酸、氪氟酸中的一种。5、 如权利要求4所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于 所述草酸溶液的PH值为4至5。6、 如权利要求4所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于 所述草酸;:容液的浓度为0. 2%至1. 5%。7、 如权利要求1所述的化学机械研磨后残留物的去除方法，其特征在于 所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张斐尧，李福洪，杜应提，薛景星，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]