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中芯国际集成电路制造上海有限公司
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化学机械研磨后残留物的去除方法技术
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文档序号:3176010
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一种化学机械研磨后残留物的去除方法,包括:提供一半导体晶片;用含有氧化剂和研磨剂的研磨液对所述半导体晶片表面进行化学机械研磨;用酸性溶液对所述半导体晶片表面进行清洗。该方法能够去除研磨后的污染物残留。...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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