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本发明提供一种半导结构的形成方法，包括提供一基板，形成一低介电常数介电层于该基板上，形成一导线于该低介电常数介电层中，且在一含碳硅烷化学品中，热处理该导线以形成一阻挡层于该导线上。形成一衬阻挡层于开口中以形成此导线。此衬阻挡层含有与阻挡层相...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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