焊盘结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种焊盘结构及其形成方法，上述焊盘结构包括第一含金属层，形成于基板上以及第一保护层，形成于该第一含金属层上，该第一保护层具有第一开口，其露出部分第一含金属层。上述焊盘结构还包括焊盘层，形成于该第一保护层上，且覆盖该第一开口，该焊盘层包括探测区域以及接合区域，该探测区域用来接触探针，而该接合区域用来接合导线，其中该探测区域经由该第一开口与该第一含金属层接触，该接合区域位于部分的该第一保护层的上方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，特别涉及焊盘 结构及焊盘结构的形成方法。
技术介绍
随着电子产品的发展，半导体的技术己广泛地应用于存储器、中央处理器(CPU)、液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)、激光二极管以及其他元件 或者芯片组的制造。为了达成高集成度以及高速度的目的，半导体集成电路 的尺寸必须不断地縮小。已提出各种的材料和技术来达成上述高集成度与高 速度的目的，并且克服与此相关的制造阻碍。为了降低晶粒尺寸，可在下方 形成有有源、功能性元件或电路的上方区域形成焊盘，而不限于晶粒的周边 区域。一般而言，在探测步骤时，上方形成有焊盘的芯片会进行电子测试。此 探测步骤会使用探针碰触或接触焊盘以搜集连接于焊盘的元件或电路的电 子特性。如果元件或电路的电子特性为先前定义可接受的值，则会通过接合 导线将此芯片与其他的基板封装而结合，其他的基板例如为印刷电路板 (PCB)。每一个接合导线连接于个别焊盘的上方。因此，在探测步骤以及连 接步骤，焊盘分别被施以探测力与接合力。假如焊盘的尺寸縮小，接合导线可能会连接于被探针所损伤的焊盘的区 域上方。介于焊盘以及接合导线的接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种焊盘结构，包括：第一含金属层，形成于基板上；第一保护层，形成于所述第一含金属层上，所述第一保护层具有第一开口，其露出部分第一含金属层；以及焊盘层，形成于所述第一保护层上，且覆盖所述第一开口，所述焊盘层包括探测区域 以及接合区域，所述探测区域用来接触探针，而所述接合区域用来接合导线，其中所述探测区域经由所述第一开口与所述第一含金属层接触，所述接合区域位于部分的所述第一保护层的上方。

【技术特征摘要】
US 2006-10-6 11/539,4981.一种焊盘结构，包括第一含金属层，形成于基板上；第一保护层，形成于所述第一含金属层上，所述第一保护层具有第一开口，其露出部分第一含金属层；以及焊盘层，形成于所述第一保护层上，且覆盖所述第一开口，所述焊盘层包括探测区域以及接合区域，所述探测区域用来接触探针，而所述接合区域用来接合导线，其中所述探测区域经由所述第一开口与所述第一含金属层接触，所述接合区域位于部分的所述第一保护层的上方。2. 如权利要求1所述的焊盘结构，还包括第二含金属层，形成于所述第 一含金属层下方并邻接于所述第一含金属层，其中所述第二含金属层包括电 路图案，设于接合区域的下方。3. 如权利要求2所述的焊盘结构，其中所述电路图案还设于所述探测区 域的下方。4. 如权利要求1所述的焊盘结构，还包括导电图案，穿过于所述第一保 护层之中，用以连接所述接合区域及所述第一含金属层。5. 如权利要求4所述的焊盘结构，其中所述导电图案密封位于所述接合 区域下方的所述第一保护层。6. 如权利要求4所述的焊盘结构，其中所述导电图案包括导电接触孔阵列。7. 如权利要求1所述的焊盘结构，还包括第二保护层，形成于所述第一 保护层上方，所述第二保护层包括第二开口，其露出所述探测区域以及所 述接合区域。8. —种焊盘结构的形成方法，包括 形成第一含金属层于基板上；形成第一保护层于所述第一含金属层上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林亮臣，曹佩华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]