X射线平板探测器制造技术

技术编号:3177720 阅读:275 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种X射线平板探测器,包括薄膜晶体管基板;像素电极层,设置在所述薄膜晶体管基板上;N型非晶硅层,设置在所述像素电极层上;非晶硅层,设置在所述N型非晶硅层,用于进行可见光转换成电信号;绝缘层,设置所述非晶硅层上;透明电极膜,设置在所述绝缘层上;以及光子转换层,设置在所述透明电极上,用于将X射线的能量转换成可见光。本发明专利技术提供的这种X射线平板探测器利用绝缘层替代P型非晶硅层,同样实现了光信号转换成电信号,但同时却节约生产成本。因此,本发明专利技术能够降低医疗仪器的生产成本,使得具有这种X射线平板探测器的医疗仪器能够被广泛使用,从而降低患者昂贵的医疗费用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平板成像设备,尤其涉及一种用于医疗仪器的X射线平板探测器。技术背景目前,数字化X射线照相检测(Digital Radiography,简称DR)技术被广泛应用在医疗仪器上,例如拍摄X射线胸片的X射线机。数字化X射线照相检测通常指采用电子成像板技术-平板检测器技术 (FPD Technique)。其中电子成像板由大量微小的带有薄膜晶体管(TFT) 的探测器成阵列排列而成。由于电子转换模式不同,数字化X射线照相 检测可以分为间接转换型DR系统(Indirect DR,简称IDR),其关键部 件是获取图像的平板探测器(FPD),由X线转换层与非晶硅光电二极管、 薄膜晶体管、信号储存基本像素单元及信号放大与信号读取等组成。间接平板探测器的结构为多层结构,主要是由闪烁体(目前主要有碘 化铯CsI)或荧光体(硫氧化钆GdSO)层加具有光电二极管作用的非晶硅层 (amorphous Silicom, a-Si)再加TFT阵列构成平板检测器。此类平板探测器的 闪烁体或荧光体层经X射线曝光后,可以将X射线光子转换为可见光,用二 维光电转换装置将可见光转换为电信号,通过薄膜晶体管阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种X射线平板探测器,其特征在于,包括:薄膜晶体管基板,用于逐行读出电信号的电荷;像素电极层,设置在所述薄膜晶体管基板上,用于采集电信号的电荷;N型非晶硅层,设置在所述像素电极层上,用于阻止像素电极上的电荷的减少;   非晶硅层,设置在所述N型非晶硅层,用于进行可见光转换成所述电信号;绝缘层,设置所述非晶硅层上,用于阻止电荷进入非晶硅层;透明电极膜,设置在所述绝缘层上,用于施加电压使非晶硅层产生光电效应;以及光子转换层,设置在 所述透明电极上,用于将X射线的能量转换成可见光。

【技术特征摘要】
1、一种X射线平板探测器,其特征在于,包括薄膜晶体管基板,用于逐行读出电信号的电荷;像素电极层,设置在所述薄膜晶体管基板上,用于采集电信号的电荷;N型非晶硅层,设置在所述像素电极层上,用于阻止像素电极上的电荷的减少;非晶硅层,设置在所述N型非晶硅层,用于进行可见光转换成所述电信号;绝缘层,设置所述非晶硅层上,用于阻止电荷进入非晶硅层;透明电极膜,设置在所述绝缘层上,用于施加电压使非晶硅层产生光电效应;以及光子转换层,设置在所述透明电极上,用于将X射线的能量转换成可见光。2、 根据权利要求1所述的X射线平板探测器,其特征在于所述非...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵玮
申请(专利权)人:德润特数字影像科技北京有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1