具有改进的色串扰的图像传感器制造技术

本发明专利技术提供一种图像传感器，其包含第一传导型的衬底。第一和第二像素排列在该衬底上。势垒形成在对应于该第一像素的衬底区域中而不形成在对应于第二像素的衬底区域中。第二像素对具有一定波长的颜色响应，所述波长长于第一像素所响应的颜色的波长。该势垒通过高能离子注入掺杂剂或通过Ｐ型外延层的外延生长期间离子注入或扩散来掺杂掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种固态图像传感器，更具体涉及一种包括用光吸收滤 色片覆盖的小像素的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
技术介绍
现代CMOS图像传感器的典型像素包括光电二极管，更具体包括钉 扎(pinned)光电二极管和四个晶体管。光电二极管收集光生电荷，该光 生电荷稍后由电荷转移晶体管在适当时间转移至浮动扩散(FD)节点上。 该FD节点用作电荷检测节点。在电荷转移之前，FD节点需要重置至适 当的基准电压。该重置引起kTC噪声，该kTC噪声通常会被添加至出现 在FD节点上的信号。因此，有必要读取FD节点上的电压两次，第一次 在电荷转移之前，第二次在电荷转移之后。此操作被称为CDS(相关双采 样)。CDS操作允许感测仅由从光电二极管转移的电荷所引起的节点上的 电压差。源极跟随器(SF)晶体管通过连接至FD节点的SF晶体管栅极、连接 至电源电压(Vdd)端子的SF晶体管漏极以及经寻址晶体管连接至共享列 (common column)传感线的SF晶体管源极来感测FD节点上的电压。 为此，通常有必要在标准CMOS图像传感器的每一像素中结合4个晶体 管。授权给Paul P. Lee本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包含：第一传导型的衬底；排列在所述衬底上第一和第二像素；和势垒，所述势垒形成在对应于所述第一像素的衬底区域中而不在对应于所述第二像素的衬底区域中。

【技术特征摘要】
KR 2006-10-13 10-2006-00997591.一种图像传感器，包含第一传导型的衬底；排列在所述衬底上第一和第二像素；和势垒，所述势垒形成在对应于所述第一像素的衬底区域中而不在对应于所述第二像素的衬底区域中。2. 权利要求1的图像传感器，其中所述势垒包含第一传导型的掺 杂层。3. 权利要求1的图像传感器，其中所述第二像素对波长大于所述 第一像素所响应的颜色的波长的颜色响应。4. 权利要求l的图像传感器，其中所述第二像素包含红色第一吸 光滤色片，和所述第一像素包含绿色、蓝色或其组合的第二吸光滤色片。5. 权利要求1的图像传感器，其中所述第一像素和所述第二像素 包含共享电路以读取光生电荷作为电信号。6. 权利要求1的图像传感器，其中所述第一像素和所述第二像素 各自包含发光二极管以收集光生电荷。7. 权利要求1的图像传感器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：雅罗斯拉夫希内切克，
申请(专利权)人：科洛司科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]