具有电可控钉扎层的图像传感器的像素制造技术

本发明专利技术公开了具有电可控钉扎层的钉扎光电二极管以及含有它的图像传感器。按照本发明专利技术的图像传感器在光电二极管耗尽的部分中不处于浮置状态。在该图像传感器中，将统一电压施加到所有像素的光电二极管钉扎层，并且将电压均衡地施加到掺杂场阑带。因此，该图像传感器能够在像素之间达到均匀钉扎，并且改善了像素之间的复位信号均匀性。而且，该图像传感器通过形成从场氧化膜到衬底的电场防止了串扰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种固体图像传感器。更具体地说，本专利技术涉及一种能够减小暗电流 以及在所有像素中形成均勻耗尽层的图像传感器。本专利技术可应用于含有钉扎光电二极管的 所有类型图像传感器，尤其有利于CIS (CMOS (互补金属氧化物半导体)图像传感器)。
技术介绍
一般说来，CMOS图像传感器将碰撞光子转换成在传感器像素中收集的电子以便检 测光。为此，CMOS图像传感器的像素包括光电二极管。尤其，CMOS图像传感器的像素包括 钉扎光电二极管以减小暗电流和增加累积电荷量。图1是示出按照现有技术的含有一个光电二极管和4个晶体管的4T像素的剖面 图，并且例示了相关电路图。参照图1，在ρ+硅衬底100上形成ρ-硅外延层101之后，蚀刻ρ-硅外延层101的 表面，从而形成填充了二氧化硅103的STI (浅沟槽隔离)区。二氧化硅103覆盖其余像素 表面。第一和第二浅ρ+掺杂区10 和104b用作STI区的下部和侧壁的钝化层以及像素 表面。像素表面的第一浅P+掺杂区10 用作钉扎光电二极管的钉扎层(pinning layer), 而作为STI区的下部和侧壁的钝化层的第二浅ρ+掺杂区104b用作防止本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种图像传感器，包括：具有钉扎层的钉扎光电二极管；以及供压单元，所述供压单元与所述钉扎层连接，以便当所述钉扎光电二极管耗尽时，将预定电压施加到所述钉扎层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河万崙，
申请(专利权)人：科洛司科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US