【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及图像传感器，更具体地，涉及背侧照明的图像传感器的被照明的背侧。
技术介绍
通常，在互补金属氧化物半导体有源像素传感器(CMOS APS)(在下文称为CMOS图像传感器)中，光接收元件、数字控制块以及诸如模拟数字转换器的外围电路设置在芯片内的有限区域中。因此，每芯片面积的像素阵列的面积比限制在约40%。而且，由于像素尺寸大大减小以实现高质量图像，一个光接收元件可收集的光量减小且噪声增加，导致各种问题，诸如由噪声增加产生的图像损失。
技术实现思路
本专利技术的实施例涉及背侧照明的图像传感器，其中光照射基板(其为晶片)的背侧。根据本专利技术的一个方面，提供一种背侧照明的图像传感器，包括基板、设置在基板的背侧上的背侧钝化层、以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。根据本专利技术的另一个方面，提供一种背侧照明的图像传感器，包括光接收元件， 设置在第一基板中；层间绝缘层，设置在具有光接收元件的第一基板上；对准键，与光接收元件间隔开，并且穿过层间绝缘层和第一基板；多个互连层，以多层结构设置在层间绝缘层上，其中最下面的互连层的背侧连接到对准键；前侧钝化层，覆盖互连层；背...
【技术保护点】
１．一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；背侧钝化层，设置在所述基板的背侧上；以及透明导电层，设置在所述背侧钝化层上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：雅罗斯拉夫海尼塞克，
申请(专利权)人：科洛司科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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