一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；设置在基板的背侧上的背侧钝化层；以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。

本发明提供一种图像传感器，包括驱动晶体管作为电压缓冲器，其可以抑制二次电子从驱动晶体管的沟道产生，以防止暗电流导致的图像缺陷的产生。该晶体管包括形成在基板上的栅极电极、分别形成在栅极电极的两侧暴露的基板中的源极区域和漏极区域以及形成在漏...

本发明涉及一种具有用于抑制ＣＭＯＳ图像传感器中产生的暗电流和串扰的气隙的浅沟槽隔离结构。根据本发明的浅沟槽隔离结构可以抑制从相邻像素注入的光子且抑制暗电流的产生，因此可以产生高质量的图像，而且因为在蚀刻内壁氧化物层以形成气隙的工艺中从光...

本发明公开了具有电可控钉扎层的钉扎光电二极管以及含有它的图像传感器。按照本发明的图像传感器在光电二极管耗尽的部分中不处于浮置状态。在该图像传感器中，将统一电压施加到所有像素的光电二极管钉扎层，并且将电压均衡地施加到掺杂场阑带。因此，该图...

本发明提供一种从晶片背面照射光的背面照明型图像传感器及其制造方法。为此，本发明提供的背面照明型图像传感器包括：光接收元件，形成在第一基板中；层间绝缘层，形成在包括光接收元件的第一基板上；通孔，与光接收元件间隔开且形成为穿过层间绝缘层和第...

本发明的目的是提供制造ＣＭＯＳ传感器的方法，该方法在于逻辑区域中确定硅化物的形成并于像素区域中利用离子注入的同时，不需要移除硬掩模的工艺，保持薄的硬掩模，便于在构建栅极图案时控制阈值宽度，并且能够改善栅极光致抗蚀剂图案的阈值宽度均匀性。...

本发明的目标是提供一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，该方法能够防止在ＣＭＯＳ图像传感器中由配线升起现象引起的小丘缺陷。为此，本发明提供一种ＣＭＯＳ图像传感器的制造方法，包括步骤：准备其上形成有第一金属配线的基板；在第一金属配线上形成层间...

一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：第一光电二极管；浮动扩散节点，设置为与所述第一光电二极管相距一预定距离；第一转移晶体管的栅图案的一部分，设置在所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点之间；驱动晶体管的栅图案的一部分，设置为重叠所述浮动扩散节点...

提供了一种固态ＣＭＯＳ图像传感器，特别是一种具有堆叠式光位点、高灵敏度和低暗电流的ＣＭＯＳ图像传感器。在包括像素阵列的图像传感器中，每个像素包括：标准光感测和电荷存储区域，其形成于基片的表面部分下的第一区域中，且收集产生光的载流子；第二...

本发明提供一种制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的方法，其包括：一种制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；使用第一掩模在紧邻于所述栅极结构的衬底上实施第一离子注入过程以形成...

提供了一种具有三维集成结构的互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）器件及其制造方法。一种图像传感器包括：第一基板结构，在该结构中形成光检测器件；第二基板结构，在该结构中形成外围电路，其中所述第一基板和第二基板通过形成于所述第一基板和第二基板上...

提供了一种固态ＣＭＯＳ图像传感器，特别是一种具有堆叠式光位点、高灵敏度和低暗电流的ＣＭＯＳ图像传感器。在包括像素阵列的图像传感器中，每个像素包括：标准光感测和电荷存储区域，其形成于基片的表面部分下的第一区域中，且收集产生光的载流子；第二...

一种互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器，包括：光电二极管；与所述光电二极管的一侧接触的转移晶体管的栅图案；驱动晶体管的栅图案，其设置为距转移晶体管的栅图案具有一预定间隔距离；以及浮动扩散节点，其设置在转移晶体管的栅图案和驱动晶体...

本发明提供一种制造互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）图像传感器的方法，其包括：提供半成品衬底，在该衬底的光电二极管区域上形成图案化阻挡层，使用掩模在除该光电二极管区域之外的区域上注入杂质而该图案化阻挡层保留，及移除该掩模。

本发明提供一种图像传感器，其包含第一传导型的衬底。第一和第二像素排列在该衬底上。势垒形成在对应于该第一像素的衬底区域中而不形成在对应于第二像素的衬底区域中。第二像素对具有一定波长的颜色响应，所述波长长于第一像素所响应的颜色的波长。该势垒...

本发明公开了一种分段线性处理设备，根据普通环境和存在大量噪声的低亮度环境来应用不同的放大率。该分段线性处理设备包括：拐点存储单元，其被配置成存储用户的默认设置值和低亮度设置值；亮度检测单元，其被配置成检测噪声环境以输出当前亮度信息信号和...