用于半导体器件的接触焊盘制造技术

本发明专利技术提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在一些实施例中，伪焊盘部件部分地环绕接触焊盘，并且位于模塑料的拐角区域中、管芯的中心区域中和/或管芯的边缘和模塑料之间的界面区域中。本发明专利技术涉及用于半导体器件的接触焊盘。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】用于半导体器件的接触焊盘相关申请的交叉引用本申请要求于2014年5月28日提交的标题为“InFO RDL Routing CapabilityImprovement Design”的美国临时申请第62/003，979号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及用于半导体器件的接触焊盘。
技术介绍
半导体器件被应用于各种电子应用，作为实例，诸如个人电脑、手机、数码相机和其他的电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，然后使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来划分为单独的管芯。然后，例如，以多芯片模式或其他封装类型来分别封装单独的管芯。半导体产业通过持续降低最小部件尺寸来不断改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这使得更多的组件集成在给定的区域内。在一些应用中，这些较小的电子部件(诸如集成电路管芯)也需要比过去的封装件利用更少面积的更小的封装件。集成的扇出(InFO)封装技术正变得越来越受欢迎，特别是当与晶圆级封装(WLP)技术结合时，在晶圆级封装(WLP)技术中，将集成电路封装在通常包括重分布层(RDL)或后钝化互连(PPI)的封装件中，使用重分布层(RDL)或后钝化互连(PPI)来扇出用于封装件的接触焊盘的引线，因此可以在比集成电路的接触焊盘更大的节距上制造电接触件。这样产生的封装结构提供具有相对较低成本和较高性能的高功能密度的封装件。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括:提供衬底；在所述衬底上形成接触焊盘，所述接触焊盘包括第一接触焊盘，所述接触焊盘提供至所述衬底上的电路的电连接；邻近所述第一接触焊盘形成伪焊盘部件，所述伪焊盘部件不提供电连接性；以及在所述第一接触焊盘上形成外部电连接件。在上述方法中，所述外部电连接件包括焊球。在上述方法中，所述伪焊盘部件包括金属。在上述方法中，所述伪焊盘部件包括在平面图中部分地环绕所述第一接触焊盘的环形件。 在上述方法中，在封装件的拐角中的模塑料上方形成所述第一接触焊盘和所述伪焊盘部件。在上述方法中，在管芯和模塑料之间的界面区域上方形成所述第一接触焊盘和所述伪焊盘部件。在上述方法中，在所述接触焊盘与管芯的中心相对的一侧上设置所述伪焊盘部件。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种方法，包括:提供管芯；沿着所述管芯的侧壁形成模塑料；在所述管芯和所述模塑料上方形成接触焊盘；邻近所述接触焊盘的子集形成伪焊盘部件，所述伪焊盘部件与所述接触焊盘电隔离；在所述接触焊盘上形成电连接件；以及将衬底附接至所述电连接件。在上述方法中，在所述模塑料的拐角区域中设置所述伪焊盘部件。在上述方法中，在所述管芯的拐角区域中设置所述伪焊盘部件。在上述方法中，沿着所述管芯的边缘在所述管芯和所述模塑料之间的界面区域中设置所述伪焊盘部件。在上述方法中，由与所述接触焊盘相同的材料形成所述伪焊盘部件。在上述方法中，每个所述伪焊盘部件均形成部分地环绕所述接触焊盘中的相应的一个的环形件。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种器件，包括:管芯；模塑料，沿着所述管芯的侧壁；接触焊盘，位于所述管芯和所述模塑料上方；以及伪焊盘部件，邻近所述接触焊盘中的任选一个，所述伪焊盘部件不提供电连接性。在上述器件中，所述伪焊盘部件设置在所述模塑料的外部拐角区域中。在上述器件中，所述伪焊盘部件设置在所述管芯的拐角区域中。在上述器件中，所述伪焊盘部件设置在所述管芯的边缘和所述模塑料之间的界面区域中。在上述器件中，所述伪焊盘部件包括部分地环绕所述接触焊盘的环形件。在上述器件中，所述伪焊盘部件包括金属。在上述器件中，进一步包括使用电连接件电连接至所述接触焊盘的衬底。【附图说明】当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据一些实施例的集成的扇出封装件的部分的平面图。图2是根据一些实施例的具有伪焊盘部件的接触焊盘的平面图。图3A至图3J根据一些实施例示出了具有接触焊盘的封装件在制造中的各个中间的工艺步骤。图4是根据一些实施例的示出可实施以制造器件的步骤的流程图。【具体实施方式】以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。另外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为了便于描述，本文可以使用诸如“在…之下”、“下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图中所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位之外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。本专利技术的一些实施例涉及用于半导体器件的封装器件及其制造方法。例如，诸如本文中论述的实施例提供了可以用于例如集成的扇出(InFO)封装件的焊盘结构和布置。在一些实施例中，降低焊盘尺寸以提供用于线路由的额外的区域，诸如在重分布层(RDL)中提供的区域。同样，诸如本文中公开的实施例通过降低焊盘尺寸扩展了重分布层的路由能力而不会引起额外的可靠性问题。大的RDL焊盘通常占据单个RDL层上的高面积比例，从而路由能力受到限制并且经常需要额外的一层或多层以确保路由完整性，这又增加了成本。此外，降低焊盘临界尺寸频繁地导致特定临界位置处(诸如球栅阵列结构的管芯拐角)的介电(例如，聚合物)层上的可靠性问题。在倒装芯片封装件中也已观察到类似的问题。为了解决这些问题，一些实施例引入了邻近接触焊盘并且沿着凸块下金属(UBM)的边缘的伪焊盘部件，诸如伪金属部件。一般地，如下文更详细讨论，伪焊盘部件是与焊盘分隔开并且部分地围绕焊盘的诸如金属部件的部件。在一些实施例中当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成接触焊盘，所述接触焊盘包括第一接触焊盘，所述接触焊盘提供至所述衬底上的电路的电连接；邻近所述第一接触焊盘形成伪焊盘部件，所述伪焊盘部件不提供电连接性；以及在所述第一接触焊盘上形成外部电连接件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄昶嘉，林宗澍，谢政杰，吴伟诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71