具有电极焊盘的发光二极管制造技术

本发明专利技术的实施例涉及发光二极管。发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，在基底上；第二导电类型半导体层，在第一导电类型半导体层上；有源层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，在第一导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层电绝缘。至少一个上延伸体可以在电连接到第二导电类型半导体层的同时电连接到第二电极焊盘。第二电极焊盘形成在第一导电类型半导体层上，从而防止由电极焊盘导致的电流拥挤和光学损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施例涉及一种发光二极管，更具体地讲，涉及一种具有电极焊 盘的发光二极管。
技术介绍
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)已广泛地用于包括全色LED显示器、LED交通 信号、白色LED等的应用中。GaN类发光二极管通常通过在例如蓝宝石基底的基底上生长外延层而形成，并包 括N型半导体层、P型半导体层以及设置在N型半导体层和P型半导体层之间的有源层。另 外，N电极焊盘形成在N型半导体层上，P电极焊盘形成在P型半导体层上。发光二极管通 过这些电极焊盘电连接到外部电源，并通过外部电源进行操作。这里，电流经过半导体层从 P电极焊盘流向N电极焊盘。通常，由于P型半导体层的电阻系数高，所以电流不是均勻地分布在P型半导体层 中，而是集中在P型半导体层的形成有P电极焊盘的部分上，电流集中在半导体层的边缘上 并流过半导体层的边缘。电流拥挤导致发光面积减小，从而使源的发光效率劣化。为了解 决这样的问题，在P型半导体层上形成电阻系数低的透明电极层以提高电流扩散。在该结 构中，当从P电极焊盘提供电流时，电流在进入P型半导体层之前通过透明电极层而分散， 从而增加了 LED的发光面积。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：基底；第一导电类型半导体层，在基底上；第二导电类型半导体层，在第一导电类型半导体层上；有源层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，在第一导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层电绝缘；至少一个上延伸体，在电连接到第二导电类型半导体层的同时连接到第二电极焊盘。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金京完，梁贞姬，尹余镇，
申请(专利权)人：首尔OPTO仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR