半导体发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括发光部，以及在发光部上形成的电极。该电极包括：光反射层，被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第一金属；第一籽晶层，直接形成在光反射层上并且包括第二金属；第二籽晶层，至少涂覆光反射层和第一籽晶层的侧表面，第二籽晶层包括第三金属；以及电镀层，至少涂覆第二籽晶层的顶部表面和侧表面，电镀层包括第四金属。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种。
技术介绍
如图9中所示，诸如发光二极管(LED)的半导体发光装置具有由凸起层叠结构20 所组成的发光部，在该凸起层叠结构中，在用于制造半导体发光装置的基板(下文中，有时 简称为“基板10”)上顺序层叠具有η型导电类型的第一化合物半导体层21、有源层23、以 及具有P型导电类型的第二化合物半导体层22。将第一电极(η侧电极)140设置在基板 10上或者第一化合物半导体层21的暴露的部分21a上，并且将第二电极(ρ侧电极)130设 置在第二化合物半导体层22的顶部表面上。可以将这种半导体发光装置划分为其中经由 第二化合物半导体层22从有源层23输出光的模式的半导体发光装置和其中经由第一化合 物半导体层21从有源层23输出光的模式的半导体发光装置(为方便起见，稍后将称作“底 部发光型”)这两种。在相关技术的底部发光型的半导体发光装置中，为了保持高的发光效率，通常，如 图9中所示，常常将用于从有源层23反射可见光的反射电极用于第二电极130。例如，作为 反射电极的第二电极130从底部由由银(Ag)制成的下层131和由镍(Ni)制成的上层(覆 盖金属)132构成(例如，参见C. H. Chou，et al. ,"High thermally stable Ni/Ag(Al)alloy contacts on p_GaN”，Applied Physics Letters，90，022102 (2007))。上层 132 覆盖下层 131。这里，通过用银(Ag)构成下层131，可以获得高光反射系数。此外，通过用镍(Ni)构 成上层132，防止了由于氧化所导致的下层131劣化，并且防止发生迁移(migration)。在 图9中，参考标号141表示绝缘层；并且每个参考标号142A和142B表示接触部。通常，通过剥离方法(lift-off method)来形成上层132。S卩，在形成下层131以 后，基于光刻技术，在要形成上层132的部分中形成具有开口 151的抗蚀层150 (参见图 10A)。随后，通过真空气相沉积方法在整个表面上形成上层132 (参见图10B)。下文中，通 过去除抗蚀层150和位于其上的上层132，可以获得在图9中所示的第二电极结构。
技术实现思路
然而，在基于这种剥离法形成上层(覆盖金属)132期间，出现了在抗蚀层150中 的开口 151的形成精度的问题；需要大的对准公差；并且存在不能有效地达到通过上层132 防止下层131被氧化或者防止发生迁移的情况。具体地，半导体发光装置的尺寸越小，第二 电极(P侧电极)130越小；并且因此，这些问题变得明显。因此，期望提供一种能够以高可靠性和高精度尤其形成第二电极的覆盖金属的用于制造半导体发光装置的方法，以及基于这种方法所获得的半导体发光装置。在实施例中，半导体发光装置包括发光部以及形成在发光部上的电极。电极包 括光反射层，被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第一金属；第一籽晶层，直接形 成在光反射层上并且包括第二金属；第二籽晶层，至少涂覆(coat，或覆盖)光反射层和第 一籽晶层的侧表面，第二籽晶层包括第三金属；以及电镀层，至少涂覆第二籽晶层的顶部和 侧表面，电镀层包括第四金属。在另一实施例中，半导体发光装置包括发光部，该发光部包括具有第一导电类型 的第一半导体层、有源层以及具有与第一导电类型相对(或相反)的第二导电类型的第二 半导体层。半导体发光装置还包括形成在发光部上的电极。电极包括光反射层，包括Ag 并被配置为反射从发光部所发出的光；第一籽晶层，包括Al并形成在光反射层上；第二籽 晶层，包括Zn并至少涂覆光反射层和第一籽晶层的侧表面；以及电镀层，包括Ni并至少涂 覆第二籽晶层的顶部表面和侧表面。在另一实施例中，制造半导体发光装置的方法包括形成发光部和在发光部的第二 半导体层上形成电极。形成电极包括形成被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第 一金属的光反射层；在光反射层上形成第一籽晶层，第一籽晶层包括第二金属；至少在光 反射层和第一籽晶层的侧表面上形成第二籽晶层，第二籽晶层包括第三金属；以及至少在 第二籽晶层的顶部表面和侧表面上形成电镀层，电镀层包括第四金属。通过剥离法形成光 反射层和第一籽晶层。在另一实施例中，制造半导体发光装置的方法包括形成发光部，该发光部包括具 有第一导电类型的第一半导体层、有源层以及具有与第一导电类型相对的第二导电类型的 第二半导体层。该方法还包括通过以下步骤在发光部上形成电极形成包括Ag并且被配置 为反射从发光部所发出的光的光反射层；在光反射层上形成包括Al的第一籽晶层；至少在 光反射层和第一籽晶层的侧表面上沉积包括Zn的第二籽晶层；通过至少在第二籽晶层的 顶部表面和侧表面上通过化学电镀形成电镀层，电镀层包括Ni。通过剥离法形成光反射层 和第一籽晶层。在根据该实施例的半导体发光装置或者其制造方法中，在第二籽晶层(例如，Zn 层)的顶部表面和侧表面上形成电镀层(例如，Ni层)。即，由作为覆盖金属的电镀层来覆 盖整个第二籽晶层。该电镀层相对于电极以自对准模式形成。结果，不会引起形成精度的问 题，没有必要考虑对准公差。而且，因为整个第二籽晶层可以被电镀层很好地覆盖的事实， 所以可以防止第二籽晶层的氧化或者发生迁移，并且可以提供具有高可靠性的半导体发光 装置。具体地，因为半导体发光装置的尺寸越小，电极的尺寸越小的事实，根据实施例产生 明显效果。本文将描述其他特征和优点，并且从以下详细描述和附图中这些其他特征和优点 将是显而易见的。附图说明图IA和图IB为实例1的半导体发光装置的示意性截面图。图2A和图2B是用于说明实例1的半导体发光装置的制造方法的层叠结构等的示 意性局部截面图。图3A和图3B是用于在图2B以后说明实例1的半导体发光装置的制造方法的层 叠结构等的示意性局部截面图。图4A和图4B是用于说明实例2的图像显示装置的制备方法的半导体发光装置等 的示意性局部截面图。图5A和图5B是用于在图4B以后说明实例2的图像显示装置的制备方法的半导 体发光装置等的示意性局部截面图。图6A和图6B是用于在图5B以后说明实例2的图像显示装置的制备方法的半导 体发光装置等的示意性局部截面图。图7是用于在图6B以后说明实例2的图像显示装置的制备方法的半导体发光装 置等的示意性局部截面图。图8A和图8B为实例3和实例4的半导体发光装置的示意性截面图。图9为相关技术的半导体发光装置的示意性局部截面图。图IOA和图IOB为示出了图9中所示的相关技术的半导体发光装置的制造步骤的 一部分的基板等的示意性局部截面图。具体实施例方式下文中，参照附图基于以下实例描述实施例。以下列顺序进行说明。1.根据实施例的和关于其整体的说明2.实例1 (根据实施例的)3.实例2 (实例1的变形)4.实例3 (实例1的其他变形)5.实例4 (实例1的其他变形) 6.实例5 (实例1的其他变形)7.实例6 (实例1的其他变形和其他说明)在实施例中，半导体发光装置的制造方法包括(A)形成包括具有第一导电类型 的第一化合物半导体层的层叠结构，在第一化合物半导体层上形成有源层并且该有源层由 化合物半导体层组成，并且在有源层上形成第二化合物半导体层并且该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，包括：发光部；以及电极，在所述发光部上形成，所述电极包括：光反射层，被配置为反射从所述发光部所发出的光，并且包括第一金属，第一籽晶层，直接形成在所述光反射层上，并且包括第二金属，第二籽晶层，至少涂覆所述光反射层和所述第一籽晶层的侧表面，所述第二籽晶层包括第三金属，以及电镀层，至少涂覆所述第二籽晶层的顶部表面和侧表面，所述电镀层包括第四金属。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平尾直树，渡边秋彦，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]