发光器件、发光器件封装及照明系统技术方案

本发明专利技术公开了一种发光器件、发光器件封装及照明系统。该发光器件包括：发光结构层，其包括第一导电型半导体层、位于第一导电型半导体层下方的有源层及位于有源层下方的第二导电型半导体层；导电层，其位于第二导电型半导体层下方；粘附层，其位于导电层下方；支撑构件，其位于粘附层下方；接触电极，其连接到第一导电型半导体层；第一引线电极，其位于支撑构件下方；第一电极，其位于支撑构件的第一区域上并将接触电极连接到第一引线电极；第二电极，其位于支撑构件的第二区域上并连接到导电层和粘附层中的至少一个；第二引线电极，其位于支撑构件下方并连接到第二电极；以及第一绝缘层，其位于接触电极与发光结构层之间。

Light emitting device, light emitting device package and lighting system

The invention discloses a light emitting device, a light emitting device package and an illumination system. The light emitting device includes a light emitting layer structure, which comprises a first conductive type semiconductor layer, an active layer is positioned below the first conductive type semiconductor layer and the active layer in the bottom of the second conductive type semiconductor layer; the conductive layer, which is located below the second conductive type semiconductor layer; adhesive layer, the conductive layer below the support member; located below the adhesive layer; the contact electrode is connected to the first conductive type semiconductor layer; a first lead electrode, the first electrode is positioned on the supporting member, below; its first area is located in the support member and the contact electrode connected to the first electrode; a second electrode, which is located in the second area support member and connected to the conductive layer and at least one of the adhesive layer; second lead electrode, which is located below the support member and connected to the second electrode; and a first insulating layer, the Located between the contact electrode and the light-emitting structure layer.

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件、发光器件封装及照明系统。
技术介绍
由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体已广泛用作诸如发光二极管 (LED)或激光二极管(LD)等的发光器件的主要材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有化/明 ！力⑴彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)复合化学式的半导体材料。LED是一种半导体器件，其通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成红外线或可见光来传送/接收信号。LED还用作光源。使用氮化物半导体材料的LED或LD主要用于提供光的发光器件。例如，该LED或 LD用作诸如蜂窝电话的键盘发光部分、电子标识牌、以及照明装置等的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供了具有新颖的竖直电极型结构的发光器件。实施例提供了在半导体层上不具有焊盘的竖直型发光器件。根据实施例的发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电型半导体层、位于该第一导电型半导体层下方的有源层、以及位于有源层下方的第二导电型半导体层；导电层，该导电层位于第二导电型半导体层下方；粘附层，该粘附层位于导电层下方； 支撑构件，该支撑构件位于粘附层下方；接触电极，该接触电极连接到第一导电型半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，所述有源层位于所述第一导电型半导体层下方，所述第二导电型半导体层位于所述有源层下方；导电层，所述导电层位于所述第二导电型半导体层下方；粘附层，所述粘附层位于所述导电层下方；支撑构件，所述支撑构件位于所述粘附层下方；接触电极，所述接触电极连接到所述第一导电型半导体层；第一引线电极，所述第一引线电极布置在所述支撑构件下方；第一电极，所述第一电极将所述接触电极连接到所述第一引线电极，所述第一电极布置在所述支撑构件的第一区域处；第二电极，所述第二电极连接到所述导电层和所述粘附层中的至少一个，所述第二...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，文智炯，李尚烈，丁焕熙，崔光基，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR