【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光器件、发光器件封装、照明系统和发光器件制造方法。
技术介绍
发光器件(LED)包括具有将电能转化成光能特性的p-n结二极管。p_n结二极管 可以通过结合元素周期表的III-V族元素来形成。LED可以通过调节化合物半导体的组成 比例而显示各种颜色。当向LED施加正向电压时，η层的电子与ρ层的空穴复合，使得可以产生与导带和 价带之间的能隙相对应的能量。该能量主要作为热或光实现，并且LED发射作为光的能量。氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能，使得氮化物半导体已经在光 学器件和高功率电子器件领域中引起关注。特别地，已经开发并广泛使用了采用氮化物半 导体的蓝色、绿色和UV发光器件。近来，已经改进了半导体生长结构或外延生长工艺以开发具有优异的光提取效率 的发光器件。为了提高光提取效率，已经提出一种对透明电极进行图案化的技术。然而，当对透 明电极进行图案化时，发光结构可能因等离子体冲击而受损、在透明电极的蚀刻工艺期间 出现结晶破裂以及因为微型图案化而残留光刻胶残余。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供一种发光器件、发光器件封装和照明系统，其中光提取...
【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层；在所述发光结构上的第一欧姆层；和包括在所述第一欧姆层上的图案的第二欧姆层。
【技术特征摘要】
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