氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法技术

一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作Ｐ电极；然后用键合或电镀的方式，在Ｐ电极的上表面制作转移衬底；采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作Ｎ电极，该Ｎ电极的焊盘在外延层以外的区域，完成发光二极管芯片桥联电极的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指一种氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电 极制备方法。
技术介绍
GaN基LED的器件结构，主要经历了正装结构、倒装结构，以及目前广为国际上重 视的垂直结构三个主要阶段。本质上讲，前两种器件结构——倒装结构、正装结构均没有摆 脱蓝宝石衬底对器件结构设计的束缚。2004年开始，垂直结构得到了人们的广泛关注，垂直 结构通过热压键合、激光剥离(LLO)等工艺，将GaN外延结构从蓝宝石转移到Cu、Si等具有 良好电、热传导特性的衬底材料上，器件电极上下垂直分布，从而彻底解决了正装、倒装结 构GaN基LED器件中因为电极平面分布、电流侧向注入导致的诸如散热，电流分布不均勻、 可靠性等一系列问题。因此，垂直结构也被称为是继正装、倒装之后的第三代GaN基LED器 件结构，很有可能取代现有的器件结构而成为GaN基LED技术主流。垂直结构LED的发光效率是最重要的一个技术指标，进一步提高其发光效率是 LED走向通用照明领域的必经之路，也是目前面临的一个最大的技术难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种， 该方法是通过将N电极的焊盘制作于芯片台面之外，大大减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法，包括：步骤１：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓ＬＥＤ外延片上的外延层的四周刻蚀，形成第一台面；步骤２：在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜，该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周；步骤３：在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作Ｐ电极；步骤４：然后用键合或电镀的方式，在Ｐ电极的上表面制作转移衬底；步骤５：采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底，形成第二台面；步骤６：在第二台面上制作绝缘薄膜，该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面；步骤７：在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面，制作Ｎ电极，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭恩卿，刘志强，汪炼成，伊晓燕，王莉，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]