ＬＥＤ芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ＬＥＤ芯片结构，包括衬底、覆盖在所述衬底正面一侧的Ｎ型层、与所述Ｎ型层电连接的第一引出电极、覆盖在所述Ｎ型层正面一侧的Ｐ型层、覆盖在所述Ｐ型层正面一侧的透明导电膜以及与所述透明导电膜电连接的第二引出电极，所述衬底反面一侧覆盖有反射及红外透过滤光片；所述反射及红外透过滤光片对所述ＬＥＤ芯片发出的光的波段具有高反射和红外透过效果。本实用新型专利技术提高了ＬＥＤ芯片的光通量并且减少ＬＥＤ芯片热量的聚集，降低了ＬＥＤ芯片的温度，延长了使用寿命。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高出光率的LED芯片结构。
技术介绍
发光二极管(LED)由于其亮度高、功耗低、寿命长、可靠性高、易驱动、节 能、环保等特点，已被广泛应用于照明、交通、广告和仪器仪表，液晶背光照明等显示 器中。目前世界上生产和使用LED呈现急速上升的趋势，同时也对LED的出光效率提 出了更高的要求。出光效率的限制也是导致LED结温升高的主要原因，随着LED的工 作时间和工作电流的增加，其发光强度和光通量会下降，寿命降低。现有LED芯片的正面普遍采用ITO作为透明导电膜，归结于ITO在可见光波段 的高透过性和良好的导电性，然而ITO在红外波段的吸收系数较大，引起LED芯片表面 的温升。LED芯片的反面则普遍采用镀银或镀铝反射板，起背光反射和导热的作用，由 于采用镜面反射的方式，因此在一定程度也增加了红外波段的吸收，导致结温升高。
技术实现思路
本技术目的是提供一种LED芯片结构，其减弱了 LED芯片正面的红外吸 收，降低了 LED芯片表面温度；增强了 LED芯片发光波段反面的反射作用，使得反面漏 出光被反射回LED芯片，减少了光的损失，提高了背光的利用率，增加了 LED芯片的出 光效率；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ芯片结构，其特征在于：包括衬底（１）、覆盖在所述衬底（１）正面一侧的Ｎ型层（２）、与所述Ｎ型层（２）电连接的第一引出电极（３）、覆盖在所述Ｎ型层（２）正面一侧的Ｐ型层（４）、覆盖在所述Ｐ型层（４）正面一侧的透明导电膜（５）以及与所述透明导电膜（５）电连接的第二引出电极（６），所述衬底（１）反面一侧覆盖有反射及红外透过滤光片（７）。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片结构，其特征在于包括衬底(1)、覆盖在所述衬底(1)正面一侧的 N型层(2)、与所述N型层(2)电连接的第一引出电极(3)、覆盖在所述N型层(2)正面 一侧的P型层(4)、覆盖在所述P型层(4)正面一侧的透明导电膜(5)以及与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳翠，唐健，
申请(专利权)人：柳翠，唐健，
类型：实用新型
国别省市：31