具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置在凹陷区域中和介电台上的金属层。本发明专利技术还提供了一种具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了迅速的发展。IC材料和设计的技术优势生产出多代1C，其中每一代都具有比前一代更小却更复杂的电路。然而，这些优势增加了 IC的加工和制造的复杂性，并且为了实现这些优势，IC的加工和制造也需要类似的发展。在IC的发展过程中，通常增大了功能密度(即，单位芯片区域的互连器件数量)，而减小了几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小部件)。用于各种用途(诸如，探针接合和/或引线接合)的焊盘(在下文中通常称为接合焊盘)通常具有与IC的其他部件所不同的要求。例如，接合焊盘必须具有足够的尺寸和强度来经受由于探针接合或引线接合的动作所引起的物理接触。通常还同时要求部件要相对较小(无论是尺寸上还是厚度上)。例如，在使用诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器时，通常要求具有一个或多个相对较薄的金属层，例如，铜铝(AlCu)金属层。薄金属层的问题在于，形成在这种层中的接合焊盘可以出现剥落或其他缺陷。因此，亟需满足这些部件的各种要求。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：器件衬底，具有正面和背面；互连结构，被设置在所述器件衬底的正面上；以及接合焊盘，与所述互连结构相连接，其中，所述接合焊盘包括：凹陷区域，位于介电材料层中；所述介电材料层的介电台，介于所述凹陷区域之间；以及金属层，被设置在所述凹陷区域中，并且位于所述介电台上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡双吉，杨敦年，林政贤，刘人诚，王文德，林月秋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：