像素单元、CMOS图像传感器及像素单元的制作方法技术

一种像素单元，包括：具有感光区域的基底、自下而上位于所述感光区域上的氧化硅层与氮化硅层。此外，本发明专利技术还提供了该像素单元的制作方法，包含该像素单元的CMOS图像传感器。采用本发明专利技术的技术方案，可以较好地改善像素单元的暗电流过大的问题，同时可以改善包含该像素单元的CMOS图像传感器的灵敏度较差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种像素单元及其制作方法、包含该像素单元的CMOS图像传感器。
技术介绍
图像传感器的作用是将光学图像转化为相应的电信号。图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CXD)图像传感器。C⑶图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下，CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。目前CMOS图像传感器已经广泛应 用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等。CMOS图像传感器中将光学图像转化为相应的电信号的部件为像素单元。参照图I所示，像素单元包括感光单元11与像素电路区域12。图2是沿图I中的A-A直线的剖视结构示意图。可以看出，感光单元11形成有感光区域111，像素单元形成有将感光单元11转换成的电信号传输出去的晶体管121。此外，为防止感光区域111受后续制程或使用过程中的水汽等的污染，在该包含感光区域111的半导体衬底上形成有一层致密性较好的氮化硅层13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，其特征在于，包括：具有感光区域的基底；位于所述感光区域上的氧化硅层；位于所述氧化硅层上的氮化硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：